PMCXB900UEZ 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PMCXB900UEZ

商品编码: BM0084330643
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN1010B-6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 265mW 20V 600mA;500mA 1个N沟道+1个P沟道 DFN1010-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.05
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.05
--
100+
¥0.804
--
500+
¥0.731
--
2500+
¥0.703
--
5000+
¥0.676
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMCXB900UEZ参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)620 毫欧 @ 600mA,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)600mA,500mAFET 类型N 和 P 沟道互补型
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)21.3pF @ 10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.7nC @ 4.5V漏源电压(Vdss)20V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值265mW
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250µA封装/外壳6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装DFN1010B-6

PMCXB900UEZ手册

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PMCXB900UEZ概述

PMCXB900UEZ 产品概述

PMCXB900UEZ 是一款高性能、逻辑电平互补型场效应管(MOSFET),由 Nexperia(安世)公司出品,采用先进的表面贴装技术(SMD),封装类型为 DFN1010B-6。该产品包含一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET,具有极低的导通电阻和出色的电气特性,非常适合低压、低功耗应用。

主要参数

  1. 电气特性:

    • 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 4.5V 时,N 沟道的最大导通电阻为 620 毫欧(@ 600mA)。这一低阻值确保了在工作过程中较小的功率损耗和高效的能量转换。
    • 漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 20V,适合用于多数低压电路和开关应用。
    • 连续漏电流 (Id): N 沟道 MOSFET 的最大连续漏电流为 600mA,而 P 沟道 MOSFET 的最大值为 500mA,支持较高的负载驱动能力。
    • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 Id 为 250µA 时,Vgs(th) 最大值为 950mV。该阈值使得该器件能够在低电压应用中有效工作。
    • 输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 10V 时,输入电容值为 21.3pF,这样的小电容有助于提高开关速度,降低开关损耗。
  2. 功率与热管理:

    • 最大功率: PMCXB900UEZ 的额定最大功率为 265mW,这使其在多种应用中保持高效率。
    • 工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,为各种环境条件下的应用提供了卓越的可靠性。

应用场景

PMCXB900UEZ 拥有广泛的应用潜力,主要包括:

  • 便携式设备: 由于其低功耗特性和小型封装,非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备的电源管理。
  • 电源开关: 适用于 DC-DC 转换器和电源开关电路,能够有效控制电流流动,提高电源转换效率。
  • 工业控制: 适合各种工业控制系统中,用于驱动负载和信号切换。
  • 汽车电子: 该器件能够满足汽车应用中的高温和高可靠性需求,使其成为现代汽车电子产品的重要组成部分。

封装与设计

PMCXB900UEZ 采用 DFN1010B-6 封装,尺寸小,适合汽车、消费电子和工业设备的高密度电路板设计。裸露焊盘的设计使得在表面贴装中焊接更加简单,以提高生产效率。

品牌及支持

作为 Nexperia(安世)公司的产品,PMCXB900UEZ 享有高品质的保证和广泛的技术支持。Nexperia 拥有丰富的半导体元器件经验,提供全面的产品文档和应用示例,以帮助客户更快地实现设计和开发目标。

结论

PMCXB900UEZ 是一款功能强大且灵活的逻辑电平 MOSFET,适用于各种低功耗应用中。其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和小巧的封装为设计师在现代电子产品开发中提供了有效的解决方案。无论是在便携式设备、电源管理,还是在工业和汽车应用中,PMCXB900UEZ 都能展现出其优越的性能和潜力。