制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 标准 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A(Ta) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 72 毫欧 @ 3.1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 256pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 485mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | DFN2020D-6 |
PMDPB56XNEAX 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能双 N-通道 MOSFET。该元件采用 DFN-2020D-6 表面贴装封装,专为需要高效电源管理和电路驱动的各种电子应用设计。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,PMDPB56XNEAX 在现代电子产品中具有很大的应用潜力。
电气性能
阈值电压和栅极电荷
输入电容
功率耗散
工作温度
封装与安装
PMDPB56XNEAX 适用于多个领域和应用场景,包括但不限于:
PMDPB56XNEAX 是一款高效、可靠的双 N-通道 MOSFET,凭借其优越的电气性能、宽温范围和紧凑封装,成为科学与工程领域设计师和工程师的理想选择。无论是在电源管理、电机驱动还是负载控制应用中,PMDPB56XNEAX 都能够满足高标准的性能需求,助力各种电子产品的创新与发展。对于寻求高效能解决方案的设计者,PMDPB56XNEAX 将是一个极具竞争力的选择。