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BUK9M85-60EX
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK33
包装 :
编带
重量 :
0.1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 31W 60V 12.8A 1个N沟道 SOT1210
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
19.68按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥19.68
--
100+
￥17.9
--
750+
￥17.38
--
1500+
￥16.95
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK9M85-60EX参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 73 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.4nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 434pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 31W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
BUK9M85-60EX手册
无数据
BUK9M85-60EX概述
产品概述：BUK9M85-60EX N通道MOSFET
在现代电子设计中，选择合适的场效应管（FET）对于实现高效、可靠的电路至关重要。BUK9M85-60EX 是一款由 Nexperia（安世）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET，封装形式为 LFPAK33 (SOT-1210)。该器件在45V至60V之间提供出色的电流控制和功率处理能力，是广泛应用于电源管理和驱动电路中的理想选择。
关键规格
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 额定电流（Id）: 25°C 时连续漏极电流为 12.8A（Tc）
- 导通电阻（Rds On）:
- @ 5A 时最大值为73毫欧，工作在5V 和 10V 驱动电压下
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）:
- 1mA 时最大值为 2.1V
- 栅极电荷（Qg）:
- @ 5V 的最大值为 4.4nC
- 最大 Vgs: ±10V
- 输入电容（Ciss）:
- @ 25V 时最大值为 434pF
- 功率耗散:
- 最大值为 31W（Tc）
- 工作温度范围:
- -55°C 至 175°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: LFPAK33
应用领域
BUK9M85-60EX MOSFET 特别适用于要求苛刻的应用环境，如：
- 电源管理: 由于其优异的导通特性和热性能，该器件非常适合用于DC-DC变换器及其他电源转换电路中。
- 电机驱动: 主要用于驱动各种电机，如直流电机和步进电机，帮助快速而有效地控制电流。
- 逆变器: 在太阳能和储能系统中，用于有效地将直流电转换为交流电，提高能量转换效率。
- 开关电源: 由于其出色的开关性能，适合在开关电源设计中用于增强电路性能。
性能优势
BUK9M85-60EX 在性能方面具有多项优势：
- 低导通电阻: 低 Rds On 值确保正常工作状态下的热量产生更少，从而提高了器件的可靠性和系统的效率。
- 宽工作温度范围: -55°C 到 175°C 的广泛应用能够满足各种苛刻环境的需求，使其能够在极端条件下稳定工作。
- 高功率处理能力: 31W 的功率耗散能力，使该器件能够在高负载应用中表现优越，确保长期稳定性。
- 小型封装: LFPAK33 封装使其适合各种紧凑设计，符合现代电子设备对空间的要求。
结论
总之，BUK9M85-60EX MOSFET 是一款出色的场效应管，凭借其高性能特点和多种应用，成为现代电源管理和驱动电路设计的首选方案。无论是在电源转换、电机控制还是其他应用中，凭借其稳定性和可靠性，该器件无疑能够满足并超越设计工程师的期望。