BUK9K25-40EX

BUK9K25-40EX 产品概述

产品名称及品牌
BUK9K25-40EX是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商Nexperia（安世半导体）生产，主要应用于高效电源管理和开关控制电路。

封装与安装
此产品采用LFPAK56D封装，具体为SOT-1205型表面贴装型，适合各种电子设备的紧凑型设计，能够有效节省空间并提高布局灵活性。这种封装设计确保了良好的散热性能，有助于设备在高负荷下的稳定运行。

电气特性
BUK9K25-40EX的关键电气参数包括：

• 最大漏源电压（Vdss）： 40V
• 最大连续漏极电流（Id）： 18.2A
• 最大功率耗散（功率 - 最大值）： 32W
• 导通电阻（Rds(on)）： 在5A、10V下，最大值为24毫欧。这一低导通电阻使得该MOSFET在开关应用中具有优秀的能量转换效率，减少了功耗和发热，提升了整体系统的可靠性。

输入与开关特性
BUK9K25-40EX在输入电容（Ciss）方面的表现也非常出色，在25V下最大值为701pF，为电路设计提供了更高的开关速度和更低的驱动损耗。此外，其栅极电荷（Qg）为6.3nC（在5V下），使得该器件在高频开关应用中表现出色，能够迅速响应栅极信号，减少开关延迟。

阈值电压
该MOSFET具有相对较低的栅源阈值电压（Vgs(th)），最大值为2.1V（在1mA下），这使得它在逻辑电平驱动下可以快速并有效地导通，有助于与较低电压逻辑电路的兼容性。

工作温度范围
BUK9K25-40EX的工作温度范围极广，能够在-55°C到175°C的极端条件下稳定运行。这一特性使得它非常适合于汽车电子、工业控制及航空航天等对环境温度要求严格的应用场合。

应用场景
BUK9K25-40EX广泛适用于DC-DC转换器、LED驱动器、高效电源管理、新能源技术、电池管理系统以及电机驱动控制等场景。其出色的电气性能和广泛的温度适应性使其成为高效率、高密度电子设计中的理想选择。

总结
作为一款高效能、低功耗的双N沟道MOSFET，BUK9K25-40EX凭借其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围，将显著提升电子设计的整体性能。凭借安世（Nexperia）的专业性和可靠性，这款MOSFET为应用提供了一种可靠的解决方案，助力设计工程师实现更高效、更节能的电路设计，满足现代工业和消费电子日益增长的技术需求。

无论是在自动化控制、通讯设备，还是在高功率驱动方案中，BUK9K25-40EX均能展现出卓越的性能，帮助用户在竞争日益激烈的市场中脱颖而出。