FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5.8 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2210pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 68W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-1205,8-LFPAK56 |
供应商器件封装 | LFPAK56D |
BUK7K6R2-40EX 是由 Nexperia(安世半导体)公司推出的一款高性能 N-通道 MOSFET,广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制及其他高效能电路中。它具有出色的导电性能和耐高温特性,旨在支持苛刻的工作环境,并提供稳健的电流处理能力。
电压与电流处理能力:
导通电阻:
栅极阈值电压:
栅极电荷和输入电容:
封装和安装方式:
工作温度范围:
BUK7K6R2-40EX 由于其高性能和可靠性,被广泛应用于诸如:
BUK7K6R2-40EX MOSFET 是一款结合高效率、低损耗、优越散热性能和广泛适用性的高端元器件,非常适用于要求苛刻的电源系统和高频开关电路。凭借其出色的电气性能和可靠性,它为设计人员提供了在现代电子设计中实现卓越性能解决方案的可能性。无论是在消费电子、汽车、还是工业自动化领域,BUK7K6R2-40EX 都能够满足各种需求,是高性能电路设计的理想选择。