制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.8 欧姆 @ 200mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 350mW(Ta),3.1W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DFN1006B-3 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 23.6pF @ 10V |
Nexperia NX7002BKMBYL是一款高性能的N通道MOSFET,采用TrenchMOS™技术进行制造,专为现代电子设备设计。其先进的工艺和优异的特性使其广泛应用于各种需要高效率和低功耗的场合。NX7002BKMBYL的封装类型为DFN1006B-3,适合表面贴装技术(SMT),能够有效提高设备的集成度及降低焊接工艺复杂性。
电流和电压能力:NX7002BKMBYL的最大连续漏极电流为350mA,漏源电压(Vdss)高达60V。这意味着该元件能够在各种负载下提供可靠的电流,而不易发生击穿。
导通电阻:在10V的栅源电压下,最大导通电阻(Rds(on))为2.8Ω(条件为200mA),这一指标在低功耗应用中尤为重要,有助于减少功耗并提高整体效率。
开关特性:该器件的优异开关特性使其能够实现快速的开关速度,进而在高频应用中表现出色。为了确保设备性能,NX7002BKMBYL的最大栅极电荷(Qg)为1nC,在10V的驱动条件下,这对于开关电源和调光等应用至关重要。
栅极阈值电压:器件的最大阈值电压(Vgs(th))为2.1V(在250µA的条件下),允许快速启动和关闭,降低延迟,同时确保良好的控制。
工作温度范围:NX7002BKMBYL具有广泛的工作温度范围,适用温度从-55°C到150°C,这使得其适应能力强,能够在极端环境下稳定工作。
功率耗散:该组件在环境条件下的最大功率耗散为350mW,而在更理想的冷却条件下可达3.1W,确保在高负载情况下的稳定性和安全性。
输入电容:在10V工作条件下,NX7002BKMBYL的输入电容(Ciss)为23.6pF,设计上考虑了高速和高效率,是高频开关应用的理想选择。
Nexperia NX7002BKMBYL广泛应用于以下领域:
Nexperia NX7002BKMBYL N通道MOSFET是一个理想的器件,结合了高效能、低功耗和优异的热管理性能,适合各种现代电子产品的设计需要。其先进的TrenchMOS™技术和宽广的工作环境使它成为许多应用中的首选。若需更多信息,用户可以通过Nexperia官方渠道获取详细技术文档与支持,以便在设计和集成过程中获得最大价值。