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BUK9Y38-100E,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56，Power-SO8
包装 :
-
重量 :
0.116g
描述 :
场效应管(MOSFET) 94.9W 100V 30A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
11.56按整 :
-(1-有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥11.56
--
100+
￥9.97
--
750+
￥9.49
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK9Y38-100E,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 38 毫欧 @ 5A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21.6nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2541pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 94.9W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
BUK9Y38-100E,115手册
无数据
BUK9Y38-100E,115概述
产品概述：BUK9Y38-100E,115 N通道MOSFET
一、产品简介
BUK9Y38-100E,115是一款由安世（Nexperia）制造的高性能N通道MOSFET。其设计具备强大的电气特性及优异的热管理能力，适用于各种需要高电压和高电流的应用。该器件在各种应用场景下表现出色，广泛用于电源管理、驱动电路、交流和直流电机控制等领域。
二、关键参数
- FET类型：N通道
- 技术：金属氧化物场效应管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 连续漏极电流（Id）：30A（在25°C条件下）
- 驱动电压：5V（最小 Rds On），10V（最大 Rds On）
- 导通电阻：在5V下，5A时最大导通电阻为38毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在1mA时最大值为2.1V
- 栅极电荷（Qg）：在5V下最大值为21.6nC
- 输入电容（Ciss）：在25V条件下最大值为2541pF
- 功率耗散：在25°C时最大功率耗散可高达94.9W
- 工作温度范围：-55°C至175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：LFPAK56，Power-SO8，SOT-669
三、应用领域
BUK9Y38-100E,115 MOSFET的卓越性能使其在以下领域中得到广泛应用：
- 电源管理：其高功率耗散能力和高电流处理能力使其成为电源转换和管理电路中的理想选择，能够有效降低温升并提高系统的整体可靠性。
- 电机驱动：在电机控制应用中，能够承受高电流和高电压的特性使得其在直流和交流电机驱动中表现优异，提升了电机运行的效率。
- 开关电源：作为开关元件，该MOSFET可以用于高效开关电源设计，提高能效并减少电能损耗。
- LED驱动：支持高电流的能力使其在LED驱动电路中具有理想的性能，能够有效控制LED的亮度。
四、设计优势
高效率：BUK9Y38-100E,115的低Rds(on)特性导入于MOSFET设计中，能够有效减少导通损耗，从而实现高效能的电力转换。
优良的热性能：凭借其出色的功率耗散能力（94.9W），在高负载条件下依然能够保持适尚的温升，从而保护电路的安全性和可靠性。
宽广的工作温度范围：从-55°C到175°C的温度适应范围，使该器件能够在极端环境下运行，适合于工业及汽车等严酷环境应用。
紧凑封装设计：LFPAK56与Power-SO8封装设计采用表面贴装形式，节省电路板空间，同时便于生产和集成，符合现代电子设备对小型化和高集成度的需求。
五、结论
BUK9Y38-100E,115 N通道MOSFET凭借其高电压、高电流、低导通电阻及优异的热性能，是现代电力电子应用中不可或缺的元器件。安世（Nexperia）的品牌保证以及其在高温工作条件下的可靠性加上出色的电性能，使这一器件成为行业内的优选选择。无论是在电源管理、电机控制还是LED驱动等领域，BUK9Y38-100E,115都展现出了其优越的性能和广泛的适用性。