BUK9K52-60E,115
BUK9K52-60E,115参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 49 毫欧 @ 5A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 725pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 32W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 封装/外壳 | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
BUK9K52-60E,115手册
BUK9K52-60E,115概述
产品概述：BUK9K52-60E,115
概述
BUK9K52-60E,115是一款高性能双N沟道场效应晶体管（MOSFET），由英特尔旗下的Nexperia（安世）公司研发和生产。此MOSFET专为高效率功率管理应用而设计，能够在广泛的工作条件下保证卓越的性能，其片划线封装（LFPAK56D）使得该器件适用于表面贴装，便于在紧凑的电路设计中应用。
核心参数
导通电阻（RDS(on)）：该器件在特定条件下的导通电阻为49毫欧，测试条件为5A，10V。这一较低的导通电阻使得BUK9K52-60E,115在开关状态下能显著减少功耗和发热，提升整机的能效及稳定性。
漏极电流（Id）：BUK9K52-60E,115可在25°C条件下连续承受高达16A的漏极电流，使其适用于需要大电流驱动的应用场景，如电源管理和DC-DC转换器。
漏源电压（Vdss）：该MOSFET可在最大60V的漏源电压下安全工作，适用于多种功率转换和开关应用。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：BUK9K52-60E,115在1mA漏电流下的栅极阈值电压最大为2.1V，此特点使其非常适合逻辑电平控制，进而简化电路设计。
输入电容（Ciss）：在25V的测量条件下，该器件的输入电容为725pF，低输入电容可实现更快的开关速度，降低开关损耗。
栅极电荷（Qg）：在10V的条件下，BUK9K52-60E,115的栅极电荷最大值为10nC，优异的阈值电压和工作电荷同时保证了较低的驱动功耗。
工作温度范围：该器件能够在-55°C至175°C的宽工作温度范围内正常工作，满足严苛环境下应用的需求，特别适用于汽车电子和工业控制等要求高温稳定性的应用。
应用场景
BUK9K52-60E,115广泛适用于以下领域：
- 开关电源：凭借其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET是高效开关电源设计中的理想组件，能够有效减小功率损耗，提高系统的整体效率。
- 电机驱动：对于电机驱动应用，其高漏电流和低导通电阻能保证电机启动和运行的平稳性。
- 电池管理系统（BMS）：在电池充放电和保护电路中，该器件的高效能确保了电池的安全和寿命。
- 工业自动化设备：其良好的温度稳定性和高频响应特性，使其成为自动化控制领域中的重要组件。
封装与特性
BUK9K52-60E,115采用SOT-1205封装，符合LFPAK56D标准，具有良好的散热特性和电气性能。此封装形式不仅降低了安装空间，还优化了产品在热管理和电气连接方面的表现。
结论
总结来说，BUK9K52-60E,115 MOSFET凭借其优异的电气性能、广泛的工作温度范围和高效的热管理特性，非常适合于现代电子产品的高效能设计及应用。无论是高效开关电源、工业控制系统还是电动汽车等场景，BUK9K52-60E,115都能为设计工程师提供灵活、可靠的解决方案。