制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.8 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 238W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 73.1nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5520pF @ 25V |
BUK7Y4R8-60EX是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能N通道MOSFET,属于其TrenchMOS™系列。这一系列以其优异的热性能、低导通电阻和高效能而获得广泛应用,尤其是在功率转换和驱动电路中。本产品采用卷带(TR)包装,方便自动化焊接和大规模生产。
BUK7Y4R8-60EX的主要规格包括:
BUK7Y4R8-60EX在不同工作条件下展现出卓越的电气性能:
BUK7Y4R8-60EX能够在-55°C至175°C的广泛工作温度范围内稳定工作,适合严苛环境下的应用。这一特性使其在汽车、工业控制和高温环境下的电子设备中表现出色。
该器件采用LFPAK56封装,是一种表面贴装型(SMD)封装,封装尺寸小巧,易于在狭小空间内安装。这种封装形式在高密度电路板设计中有着广泛的应用。
BUK7Y4R8-60EX由于其优越的电气性能,广泛适用于以下应用领域:
BUK7Y4R8-60EX N-MOSFET是一款具备高电流承载能力、低导通电阻和宽广工作温度范围的高性能功率元件。其出色的电气特性和优越的热管理能力使其成为众多高功率及高效率应用的理想选择,尤其在汽车、工业、以及电源管理领域内展现了极强的竞争力。Nexperia致力于提供高质量和可靠性的半导体产品,BUK7Y4R8-60EX正是这一承诺的体现。