晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA,1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V,20V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V / 220 @ 500mA,2V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA / 280mV @ 100mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA,100nA |
频率 - 跃迁 | 185MHz | 功率 - 最大值 | 600mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
一. 概述
PBLS2001D,115 是由安世半导体(Nexperia)生产的一款数字晶体管,采用SOT-457封装,适用于各种低功耗和高频应用。这款器件不仅兼具NPN和PNP两种晶体管类型,还拥有出色的电流增益和饱和压降特性,适合在广泛的电子电路中使用,其主要设计目标是提升系统的性能和可靠性。
二. 基本参数
晶体管类型:
电流 - 集电极 (Ic):
电压 - 集射极击穿:
电阻器参数:
DC电流增益 (hFE):
Vce 饱和压降:
电流 - 集电极截止:
频率 - 跃迁:
功率 - 最大值:
安装类型与封装:
三. 特性与优势
高电流增益:PBLS2001D,115 具备出色的DC电流增益,使得最终电路能够在较小的基极电流下驱动更大的负载,极大提高了电路的效率。
低饱和压降:它的饱和压降极低,使得该产品在高加载条件下能够以较小的能量损耗保持良好的开关性能。
高频特性:凭借185MHz的跃迁频率,PBLS2001D,115 在高频应用中表现优异,适用于需要快速开关和响应的电路,如射频放大器和数字开关。
小型化设计:采用SOT-457封装,适合空间有限的应用,满足现代电子设备对小型化和轻量化的需求。
四. 应用场景
PBLS2001D,115 的应用领域相当广泛,包括但不限于:
音频功率放大器:通过提高功率和效率,适用于便携式音频设备和家居音响系统。
数字信号处理:在数字电路中用作开关,以控制信号的传输。
高频通信设备:由于其卓越的高频性能,适合应用于无线通信基站和设备。
电子控制系统:可用于汽车和家电的控制系统,提供高性能的开关功能。
照明控制:在LED驱动电路中,PBLS2001D,115 可以高效地控制光源的开关和亮度。
五. 结论
总之,PBLS2001D,115 是一款功能强大且灵活的数字晶体管,具备高电流增益、低饱和压降及高频率性能,非常适合现代电子设备中的多种应用。无论是在消费电子、通信设备还是自动化控制系统中,它都能够为设计者提供极大的便利和出色的性能,是一个值得考虑的产品选择。根据项目需求,设计师和工程师们可以根据其电气特性灵活运用PBLS2001D,115,以达到最佳设计效果。