制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
频率 - 跃迁 | 170MHz,150MHz | 功率 - 最大值 | 350mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
产品概述
NHUMD3F 是 Nexperia USA Inc. 提供的一款高性能数字晶体管,专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛环境下稳定工作。这款产品集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,通过预偏置配置实现高效能及低功耗,适合各种电子控制和驱动电路的需求。
关键参数
NHUMD3F 的设计允许最大集电极电流 (Ic) 达到 100mA,同时集射极击穿电压 (Vce) 高达 80V,确保其在电压和电流要求高的应用环境中稳定运行。这款数字晶体管的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 50,具体测试条件为 10mA 的集电极电流和 5V 的集电极电压,说明其在低功率信号放大场合的应用潜力。
电气特性
对于整体性能,NHUMD3F 的饱和压降(Vce(sat))在最大不同的基极当前 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下可达到 100mV(测试条件为 500µA 和 10mA),这使得它在电源敏感的设计中占据优势。此外,其集电极截止电流 (Icbo) 最大可达 100nA,显示出该产品在静态状态下的低功耗特性。
频率响应对于现代电子设计至关重要,NHUMD3F 的跃迁频率分别为 170MHz 和 150MHz,适用于快速开关及高频应用。这些特性使得它在多种数字电路和信号处理中发挥关键作用。
功率和封装
NHUMD3F 的最大功率为 350mW,适合在负载变化大、功率密集的应用中使用。其表面贴装型设计(6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装)为人工组装和自动化生产提供了便利,极大地提升了生产效率。这样的封装形式在现代电子产品中得到了广泛使用,特别是空间受限的应用场合。
应用场景
由于其出色的特性,NHUMD3F 主要应用于汽车电子、工业自动化、消费领域及医疗装备等。它可以用于开关控制、放大器、逻辑电路以及驱动器,满足从电动机控制到信号调理等多种需求。
在汽车应用中,NHUMD3F 的高可靠性和稳定性使其成为电源管理、LED 驱动、传感器接口等关键部分的理想选择。此外,由于其符合汽车行业标准,NHUMD3F 可以在恶劣的工作环境下保证安全和稳定的性能,为创新和可靠的汽车电子系统提供支撑。
总结
总之,NHUMD3F 是一款功能强大、性能优越的数字晶体管,展现了 Nexperia 在汽车电子和高效电源管理领域的领先技术。凭借其高集电极电流和集射极击穿电压,兼备低功耗和高频率的特性,NHUMD3F 是为追求精密和高效的电子设备所设计的理想选择。无论是在汽车、工业还是消费电子领域,NHUMD3F 都能提供卓越的性能和可靠性,帮助工程师实现他们的设计目标。