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PMPB55ENEAX
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN-2020MD-6
包装 :
-
重量 :
0.017g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.65W 60V 4A 1个N沟道 SOT1220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.64按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.64
--
50+
￥1.25
--
1500+
￥1.14
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMPB55ENEAX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 56 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.65W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435pF @ 30V |
PMPB55ENEAX手册
无数据
PMPB55ENEAX概述
产品概述：Nexperia PMPB55ENEAX MOSFET
1. 概述
Nexperia PMPB55ENEAX 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效率电子应用而设计。其出色的电流承载能力和低导通电阻使其非常适合于诸如电源管理、功率转换和马达驱动等各种应用。
2. 关键参数
- 制造商：Nexperia USA Inc.
- 产品类型：N 通道 MOSFET
- 包装形式：卷带（TR），便于自动化生产线使用
- 封装：DFN2020MD-6（6-UDFN 裸露焊盘），适合表面贴装
- 额定电流：4A（在 25°C 环境温度下）
- 漏源电压(Vdss)：60V，适合中高压应用
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V Vgs 和 10A Id 下最大为 56 毫欧，确保低功耗损耗
- 门极阈值电压 (Vgs(th))：最大 2.7V，在 250μA 的条件下，保证了合理的开启电压
- 电源功率耗散：最大 1.65W，确保器件在高负载情况下的稳定性
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，满足严苛环境条件下的使用需求
3. 电气特性
PMBP55ENEAX 提供了出色的电气性能，尤其是在导通期间，其导通电阻低，能够显著减少功率损失。其栅极电荷（Qg）为 12nC @ 10V，意味着在开关频率较高的应用中，器件具有优秀的快速响应特性，这对电源转换器的效率提升具有重要作用。
输入电容(Ciss)为 435pF @ 30V，在高速开关过程中，为驱动电路提供了适当的负载，从而能够确保更稳定的操作。
4. 应用场景
由于其低导通电阻和高速开关性能，PMPB55ENEAX 特别适合以下应用：
- 开关电源：高效的功率转换，适用于 AC-DC 适配器和 DC-DC 转换器。
- 电子马达驱动：可用于直流电动机的控制，提供即时的启动和停止响应。
- 灯光调光器：在照明应用中，通过改变驱动信号来调节亮度，提升用户体验。
5. 结论
Nexperia PMPB55ENEAX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其宽广的工作温度范围、低导通电阻和良好的开关特性，适用于多种高效电子应用。它的设计与性能能够支持现代电子设备对功率、效率与稳定性的严苛要求，成为电源管理和控制领域中的最佳解决方案之一。随着电子技术的不断进步，PMPB55ENEAX 将在新的应用场景中展现其巨大的潜力和价值。