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BUK9M24-40EX
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK33
包装 :
编带
重量 :
0.061g
描述 :
场效应管(MOSFET) 44W 40V 30A 1个N沟道 SOT1210
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.38按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.38
--
100+
￥2.81
--
750+
￥2.57
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK9M24-40EX参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 798pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 44W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
BUK9M24-40EX手册
无数据
BUK9M24-40EX概述
产品概述：BUK9M24-40EX MOSFET
BUK9M24-40EX是安世(Nexperia)推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有出色的电气特性和良好的散热能力。该产品专为需要高电流和高电压的应用而设计，适用于多个领域，包括但不限于汽车电子、电源管理以及工业设备。
关键规格
- FET类型：N通道MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)：40V，适合多个中压应用
- 连续漏极电流 (Id)：最大30A（在额定温度下）
- 驱动电压：在5V下可达到最大Rds(on)，并提供最佳的控制性能
- 导通电阻 (Rds(on))：低至20毫欧，在额定10A和10V的条件下表现优异
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大2.1V，保障了高效的开关操作
- 输入电容 (Ciss)：798pF @ 25V，低输入电容使其在开关频率较高的场合具有良好的响应速度
- 栅极电荷 (Qg)：最大7.7nC @ 5V，实现快速的转换和更高的效率
- 功率耗散能力：最大44W（在Tc条件下），确保在运行高负载的条件下能够保持稳定
- 工作温度范围：从-55°C到175°C，适应极端工作环境
- 封装：LFPAK33（SOT-1210），便于表面贴装，优化了生产效率
应用场景
BUK9M24-40EX MOSFET的优异性能使其适用于多种应用场景：
电源管理：在开关电源和DC-DC转换器中，BUK9M24-40EX能够显著提高系统效率，并降低热量产生，进而延长设备寿命。
汽车电子：由于其宽广的工作温度范围和稳健的散热特性，BUK9M24-40EX非常适合用于汽车的动力总成、灯光控制以及电池管理系统等。
电机驱动：该MOSFET可以用于电机驱动电路中，提供高效的电流开关控制，实现快速响应与高效能的电力传输。
工业应用：在高要求的工业环境中，BUK9M24-40EX具备良好的抗干扰能力和高可靠性，适用于变频器、升压/降压电路和其他自动化设备。
性能优势
- 低导通电阻：BUK9M24-40EX的低Rds(on)特性为电路带来的功耗降低，既提升了电源效率，也降低了设备发热。
- 高电流承载能力：最高30A的漏极电流使其能够满足多种高功率应用需求，同时也能够减少额外的支路MOSFET数量，简化电路设计。
- 宽广的工作温度范围：该MOSFET在极端温度下仍能保持稳定工作，对高温和低温环境都有优秀的适应性，提升了系统的可靠性。
- 紧凑的表面贴装封装：LFPAK33封装设计不仅有助于降低PCB尺寸，还优化了散热性能，使设计更为灵活。
总结
BUK9M24-40EX MOSFET是一款结合了高性能和高可靠性的电子元件，适合各种电源管理及功率驱动应用。其低电阻、高电流及宽温范围特点使其能够在复杂与苛刻的环境下也能稳定运行，为行业提供了高效、可靠的解决方案。对设计师而言，这款MOSFET为实现高效能电路设计提供了出色的基础，助力产品在竞争激烈的市场中脱颖而出。