BUK7J1R4-40HX
BUK7J1R4-40HX参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 126nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +20V， -10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8155pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 395W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SOT-1023，4-LFPAK |
BUK7J1R4-40HX手册
BUK7J1R4-40HX概述
BUK7J1R4-40HX 产品概述
一、产品简介
BUK7J1R4-40HX 是 Nexperia（安世）公司推出的一款高性能 N 通道 Mosfet（场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、以及其他高电流和高电压的功率控制场合。该产品的设计充分考虑了现代电子设备对高效率、高密度和高可靠性的需求，因此在工业、消费电子及汽车电子等领域具有广泛的应用前景。
二、基本参数
BUK7J1R4-40HX 的关键参数如下：
- FET 类型：N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：最高 40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：最高 120A
- 驱动电压（Vgs）：10V
- 导通电阻（Rds(on)）：@ 25A，10V 时最大值为 1.4 毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：@ 1mA，最大值为 3.6V
- 栅极电荷（Qg）：@ 10V，最大值为 126nC
- 输入电容（Ciss）：@ 25V，最大值达到 8155pF
- 功率耗散（Pd）：最高达 395W （在环境温度 Ta 下）
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C （TJ）
- 封装形式：LFPAK56，Power-SO8，适合进行表面贴装。
三、功能与应用
BUK7J1R4-40HX 的高额定电流和低导通电阻使其在高频、低损耗的电力管理方面表现尤为突出。具体应用如下：
开关电源：采用该 MOSFET 可以提高开关频率，降低功率损耗，进而提高整体能效。
DC-DC 转换器：适合用于多种 DC-DC 转换拓扑，能够有效转换电压和电流，保证系统稳定工作。
电机驱动：在电动车及家用电器的电机驱动中，使用 BUK7J1R4-40HX 可以实现高效驱动和控制，延长电机使用寿命。
电源管理：结合微控制器和其他功能单元使用，可用于智能电源管理系统，实现精确的功率调节。
汽车电子：考虑到其宽工作温度范围和耐高压特性，特别符合现代汽车对高可靠性电子元器件的需求。
四、技术优势
BUK7J1R4-40HX 的技术优势体现在几个方面：
高效率：低 Rds(on) 值促进了较低的导通损耗，从而提升了整体电源系统的效率。
高功率密度：395W 的功率耗散能力使其在许多高功率驱动应用中成为理想选择，为设计师提供了更大的设计灵活性。
广泛的工作温度范围：-55°C 至 175°C 的工作温度范围使其特别适合于严苛的工作环境，包括工业和汽车领域。
优异的可靠性：高品质的材料与制造工艺保证了产品的长期稳定性和可靠性，减少了维护和更换成本。
五、总结
BUK7J1R4-40HX 是一款兼具高性能与高可靠性的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高功率密度和广泛的工作温度范围，适用于多种高负载与高频率应用。Nexperia (安世) 的专业技术和优良品质使得这一产品在市场中占有一席之地，为设计师提供了一种高效、可靠的选择。在面对现代电子设备日益严苛的性能需求时，BUK7J1R4-40HX 将是您理想的选择。