PMPB95ENEAX
PMPB95ENEAX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta），15.6W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 504pF @ 40V |
PMPB95ENEAX手册
PMPB95ENEAX概述
PMPB95ENEAX 产品概述
概述 PMPB95ENEAX 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有优异的电气性能和可靠性，适合各种功率管理和开关应用。该 MOSFET 的连续漏电流为 2.8A，额定漏源电压为 80V，提供了较强的电流承载能力和高电压适用性，广泛应用于消费电子、自动化设备和电源管理等领域。
关键参数
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 产品状态: 有源（Active）
- 器件类型: N 通道 MOSFET
- 封装类型: DFN2020MD-6（6-UDFN 裸露焊盘）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 最大漏源电压 (Vdss): 80V
- 连续漏极电流 (Id): 2.8A @ 25°C
- 最大功率耗散: 1.6W (在环境温度下)，15.6W (在结温下)
- 栅源电压 (Vgs): ±20V
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大 105 毫欧 @ 2.8A，10V
- 栅电荷 (Qg): 最大 14.9nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大 504pF @ 40V
- 输入阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.7V @ 250µA
性能特点 PMPB95ENEAX MOSFET 在设计中采用了先进的金属氧化物半导体技术，使其具备卓越的开关特性和低导通损耗。其导通电阻（Rds(on)）仅为 105 毫欧，在高电流情况下能有效降低能量损失，同时保证优异的热管理性能。最大功率耗散为 1.6W，以及更高的结温功率耗散能力（15.6W），使得该器件在高负载条件下依然能够长时间稳定工作，适应各类恶劣环境。
在栅源电压 (Vgs) 为 10V 时，该器件的导通电阻将达到最优值，这对于高效控电路设计至关重要。再加上 2.7V 的最低栅源阈值电压 (Vgs(th))，使其非常适合各种电源管理和逻辑电平信号控制场合。此外，器件的输入电容 (Ciss) 和栅电荷 (Qg) 指标的优化，还进一步增强了其在快速开关应用中的性能。
应用场景 PMPB95ENEAX 可广泛应用于以下场景：
电源管理系统: 作为 DC-DC 转换器的开关元件，在电源转换过程中其低导通电阻显著提高能效，降低发热，提升系统的整体稳定性与寿命。
消费电子产品: 在智能手机、笔记本电脑及其他可穿戴设备中实现高效电源开关，支持高频和高密度集成设计。
自动化与工业控制: 在电机驱动、机器人控制等系统中，提供高效的开关控制和可靠的功率管理，确保在不同工作环境下的高可靠性。
电动车和电池管理系统: 适合用于高要求的电池切换和保护电路，其高温适应能力允许在各种极端环境下安全操作。
总结 总的来说，PMPB95ENEAX N 通道 MOSFET 结合了高电流、高电压、低导通电阻和广泛的工作温度范围，因而适合用于多种电子电路设计。它不仅确保了高效率与高可靠性的设计需求，也为未来电子产品的迭代提供了坚实的基础。无论在功率管理、电机驱动还是消费电子等领域，PMPB95ENEAX 都是一个值得信赖的解决方案。