制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 100mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 1A,2V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
功率 - 最大值 | 480mW | 基本产品编号 | PBSS5250 |
PBSS5250T,215是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),注册号为PBSS5250,采用了小型的SOT-23封装。这款三极管特别适合需要高电流和快速开关的应用场合,能够在极端的条件下正常工作,其工作温度可达150°C,满足多种行业的需求。
2.1 电流和电压规格 PBSS5250T能够承受最大集电极电流为2A,电压耐受极限为50V,功率最大为480mW。这使得它非常适合用于功率放大和开关应用。此外,其集电极截止电流(ICBO)最大为100nA,意味着在关闭状态下,漏电流非常低,有助于提升设备的整体性能和效率。
2.2 DC电流增益 在特定条件下,这款设备的DC电流增益(hFE)最小值为200,测量条件为Ic = 1A,Vce = 2V。高增益意味着在小信号输入下,能够获得较大的集电极输出,适合高增益放大应用。
2.3 饱和电压 PBSS5250T的饱和压降(Vce(sat))在不同的集电极电流(Ic)条件下,最大值为300mV,测试条件为Ic = 100mA。这一低压降特性有助于保证在高电流应用中能尽量减少功耗,提高设备的效率。
2.4 频率特性 频率跃迁特性达到了100MHz,这使得PBSS5250T适合高频应用,例如射频信号放大、开关电源等场景。
PBSS5250T,215的高电流承受能力、低饱和电压及高电流增益特性,使得它在多个领域具有广泛的应用:
PBSS5250T采用SOT-23(TO-236AB)封装,体积小巧,方便集成到各种紧凑型电子设备中。表面贴装(SMD)技术使得它能够快速、高效地与电路板连接,适合自动化生产线的高效装配。
PBSS5250T,215是一款性能卓越的PNP型晶体管,结合了高电流、低饱和压降及快速开关特性,满足各种现代电子产品对高效能、低功耗的要求。无论是在工业设备、消费电子还是在通信设备中,PBSS5250T都能够发挥关键作用,帮助设计师和工程师提升产品的整体性能。凭借其优秀的电性能指标及良好的热稳定性,PBSS5250T无疑是市场上极具竞争力的电子元器件之一。