FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 10V |
Vgs(最大值) | +20V, -10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1022pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 50W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
封装/外壳 | SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) |
BUK7M11-40HX是一款先进的N通道MOSFET(场效应管),由知名品牌Nexperia(安世)生产。该器件采用了LFPAK33封装,具有优异的电性能和高功率处理能力,适合在各种应用场景中发挥作用,尤其是在电源管理、逆变器、马达驱动等高电流、高电压的场合。
BUK7M11-40HX由于其强大的电参数,广泛应用于以下领域:
BUK7M11-40HX的竞争优势体现在以下几个方面:
BUK7M11-40HX是一款出色的N通道MOSFET,以其优异的电气性能、稳健的工作温度范围和高功率处理能力,成为各类电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、逆变器还是马达驱动等应用中,该产品都能够提供高效和可靠的解决方案。选择BUK7M11-40HX,将为您的设计提供强大的支持与保障。