BUK7608-40B,118

BUK7608-40B,118 产品概述

一、产品基本信息

BUK7608-40B,118 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），属于其汽车级系列，符合 AEC-Q101 标准。该器件专为高效能和可靠性的应用而设计，主要用于汽车电子和工业应用，满足严苛的工作条件。

二、器件特性

1. 电气特性：

   • 连续漏电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 的最大连续漏电流为 75A，确保其在高负载条件下的稳定性和可靠性。
   • 漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源击穿电压为 40V，适合多种低压应用。
   • 导通电阻 (Rds On): 在 25A 和 10V 驱动电压下，其导通电阻最大为 8 毫欧，确保了高效的电流传输和低能耗。
   • 栅极-源极电压 (Vgs): 最大栅极驱动电压为 ±20V，确保器件在不同工作条件下的安全操作。
   • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 4V，此参数说明了 MOSFET 开始导通的条件，能够适应不同电路设计的需求。

2. 热特性：

   • 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为 157W（在耐高温条件下），使得该器件能够在较高功率场合中有效降低热失效的风险。
   • 工作温度范围: 该 MOSFET 在 -55°C 到 175°C 的工作温度范围内均可稳定工作，适合于极端环境加载下应用。

3. 电容特性：

   • 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动条件下，栅极电荷最大值为 36nC。这一指标对于高频切换应用尤为重要，能够提高开关速度并降低开关损耗。
   • 输入电容 (Ciss): 在 25V 下的输入电容最大值为 2689pF，影响器件的驱动性能和响应速度。

三、封装和安装

BUK7608-40B,118 采用 D2PAK (TO-263-3) 表面贴装封装，具有良好的热性能和电气连接特性。该封装因其低热阻和紧凑的体积，特别适合于空间有限但需要强大电流处理能力的电子电路。封装中包含 2 个引线和一个接片设计，便于贴片生产和散热。

四、应用场景

BUK7608-40B,118 MOSFET 主要用于：

• 汽车电子：如电动车的驱动电路、充电器、电力管理系统等。
• 工业控制：如电机驱动、电源转换器等要求高功率和高效能的领域。
• 电力管理：在信息技术设备和消费电子中作为开关元件或控制元件。
• 电源供应：在开关电源和 DC/DC 转换中提供高效能的电力转换。

五、总结

总的来说，BUK7608-40B,118 是一款功能强大、高性能 N 沟道 MOSFET，其优质的电气特性和热特性使其能够满足现代汽车电子和工业应用的高要求。尽管该产品已停产，但其在高负载、高温环境下的应用特性和可靠性，依然为用户提供了极大的价值，适合寻找替代品或对于性能有严格要求的设计工程师使用。对任何需要高效能、低功耗以及高可靠性的全新电源解决方案的电子设计师来说，BUK7608-40B,118 是一个非常值得考虑的选择。