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BUK6D120-60PX
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN-2020MD-6
包装 :
编带
重量 :
0.017g
描述 :
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.46按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.46
--
50+
￥1.12
--
1500+
￥1.02
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK6D120-60PX参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta），8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 724pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），15W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
BUK6D120-60PX手册
无数据
BUK6D120-60PX概述
产品概述：BUK6D120-60PX P通道MOSFET
概述
BUK6D120-60PX 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（P-MOSFET），由安世半导体（Nexperia）生产。其专为高效能和低功耗应用而设计，适合在各种电气和电子设备中使用，特别是在需要高电流承载能力和快速开关速度的场合。
关键参数
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下为 3A（环境温度），8A（结温）
驱动电压:
- 最大 Rds（导通电阻）时的最小 Vgs = 4.5V
- 最大 Rds 时的最大 Vgs = 10V
导通电阻（Rds On）: 最大值为 120 毫欧在 3A、10V 的条件下
阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 电流下最大值为 3.2V
栅极电荷 (Qg): 最大值为 18nC，在 10V 驱动下测试
输入电容 (Ciss): 在 30V 时最大值为 724pF
热性能
BUK6D120-60PX设备的功率耗散能力高：
- 在环境温度（Ta）下最大功率耗散为 2.3W
- 在结温（Tc）下最大功率耗散可达 15W
其宽广的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其能够在恶劣的环境条件下持续稳定工作，符合高可靠性电子设备的要求。
封装与安装
BUK6D120-60PX 采用 DFN-2020MD-6 表面贴装封装，封装类型为 6-UDFN 裸露焊盘。这种设计提供了较低的热阻和更好的电气性能，适合现代电子设备的小型化和高性能需求。
应用领域
由于其优异的电气性能和广泛的工作温度范围，BUK6D120-60PX 适用于多种应用，包括但不限于：
- DC-DC 转换器
- 电机驱动器
- 电池管理系统
- 便携式设备
- 计算机外围设备
- 家用电器中的高效能控制
性能优势
- 低导通电阻: BUK6D120-60PX 的低 Rds On 值确保在高电流工作时具有较低的能量损耗，提高整体功率转换效率。
- 高开关频率: 由于较小的栅极电荷（Qg），该 MOSFET 能够实现快速的开关，适合于高频应用场景，并减少开关损耗。
- 广泛的工作温度范围: 该器件的设计使其在极端温度下依然保持高效能，适合于各种工业和汽车应用。
- 优秀的热管理: 高达 15W 的功耗能力提高了设计的灵活性，使其能在不同的环境条件下稳定工作。
结论
BUK6D120-60PX P 通道 MOSFET 是一款兼具高性能、低功耗和高可靠性的半导体器件，广泛应用于现代电子设备的各个领域。其高效的电气特性和宽广的工作条件使得设计工程师在进行电路设计时能够拥有更大的自由度。无论是在消费电子领域，还是在工业控制系统中，BUK6D120-60PX都是极为理想的选择。