FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A(Ta),5.7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 120 毫欧 @ 2.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 113pF @ 20V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta),7.5W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
BUK6D120-40EX 是由 Nexperia(安世)制造的一款高性能 N 通道 MOSFET,适用于各种电子应用。凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,此元器件以其稳定性和效率广受欢迎。无论是在电源管理、开关电路还是其他需要高功率处理的应用场景中,BUK6D120-40EX 都能够提供可靠的性能。
BUK6D120-40EX 的特点使其在多种领域展现出极强的适用性:
综上所述,BUK6D120-40EX 凭借其卓越的电气性能、宽广的环境适应性和高散热能力,成为电力电子领域中一种极具吸引力的选择。其自我保护特性、可靠的操作能力及小型封装使得它在现代电子产品设计中大放异彩,特别适合对功率、效率和温度管理有高要求的应用场景。选择 BUK6D120-40EX,将为您的项目带来显著的性能提升和支持。