BUK6D120-40EX 产品实物图片
BUK6D120-40EX 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BUK6D120-40EX

商品编码: BM0084330466
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN2020MD-6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.13
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.13
--
50+
¥0.872
--
1500+
¥0.793
--
3000+
¥0.721
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK6D120-40EX参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.9A(Ta),5.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)120 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)3.6nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)113pF @ 20V
功率耗散(最大值)2W(Ta),7.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装DFN2020MD-6
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

BUK6D120-40EX手册

empty-page
无数据

BUK6D120-40EX概述

产品概述:BUK6D120-40EX N-Channel MOSFET

引言

BUK6D120-40EX 是由 Nexperia(安世)制造的一款高性能 N 通道 MOSFET,适用于各种电子应用。凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,此元器件以其稳定性和效率广受欢迎。无论是在电源管理、开关电路还是其他需要高功率处理的应用场景中,BUK6D120-40EX 都能够提供可靠的性能。

主要规格参数

  • 器件类型:N 通道 MOSFET
  • 最大漏源电压 (Vdss):40V
  • 连续漏极电流 (Id):在 25°C 环境温度下为 2.9A;在 25°C 时可达 5.7A(当温度控制在 Tc 下)。
  • 导通电阻 (Rds(on)):在 10V 驱动电压下,当 Id 为 2.9A 时导通电阻最大可达 120 毫欧。
  • 栅源阈值电压 (Vgs(th)):最大值为 2.5V(在 250µA 的条件下),这表明该 MOSFET 在较低的栅电压条件下便能有效导通。
  • 输入电容 (Ciss):在 20V 的工作电压下最大值为 113pF,适合高频开关应用。
  • 栅极电荷 (Qg):在 10V 驱动下,最大栅极电荷为 3.6nC,表明该 MOSFET 的驱动特性良好,有助于提升开关速度。
  • 功率耗散:可承受的最大功率为 2W(在环境温度 Ta 下),和 7.5W(在管壳温度 Tc 下),确保在较高负载下也能保持良好的热管理。
  • 工作温度范围:适用温度范围极宽,从 -55°C 到 175°C(TJ),使其适合于高温或极端条件下的应用。
  • 封装类型:为表面贴装型,采用 DFN2020MD-6 封装,设计紧凑,便于自动化焊接和装配。

应用场景

BUK6D120-40EX 的特点使其在多种领域展现出极强的适用性:

  1. 电源管理:该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器,提供高效的开关控制,确保良好的电源效率。
  2. 电机驱动:合理的电流承载能力和低导通电阻使其适合用于电机驱动和控制电路,确保快速响应和高效率。
  3. 开关电源:在开关电源中,BUK6D120-40EX 可以有效降低功耗,提升系统性能。
  4. 负载开关:MOSFET 的快速开关性能和良好的散热能力使其成为负载开关电路的理想选择。
  5. 消费电子:其小型化的封装和卓越的热性能适合用于紧凑的消费电子产品内。

结论

综上所述,BUK6D120-40EX 凭借其卓越的电气性能、宽广的环境适应性和高散热能力,成为电力电子领域中一种极具吸引力的选择。其自我保护特性、可靠的操作能力及小型封装使得它在现代电子产品设计中大放异彩,特别适合对功率、效率和温度管理有高要求的应用场景。选择 BUK6D120-40EX,将为您的项目带来显著的性能提升和支持。