PMCM4401VPEZ
PMCM4401VPEZ参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 4-WLCSP（0.78x0.78） |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，WLCSP | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 415pF @ 6V |
PMCM4401VPEZ手册
PMCM4401VPEZ概述
产品概述：PMCM4401VPEZ
产品简介
PMCM4401VPEZ 是一款由 Nexperia USA Inc. 设计和制造的高性能 P 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件采用卷带（TR）包装，适合表面贴装（SMD）应用，具有高度集成的功能和优异的电性能，适用于多种电子设计需求。
关键规格
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 连续漏极电流 (Id)：3.9A 在 25°C（Ta）下
- 导通电阻 (Rds On)：最大 65 毫欧 @ 3A，4.5V
- 栅极至源极阈值电压 (Vgs(th))：最大 900mV @ 250µA
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 功率耗散：最大 400mW（Ta），12.5W（Tc）
- 封装类型：4-WLCSP（0.78x0.78）
- 驱动电压：1.8V，4.5V
电气特性
PMCM4401VPEZ 提供了良好的电流承载能力与低导通电阻，这使其成为开关电源及负载驱动电路中的理想选择。器件在 25°C 下能够承载高达 3.9A 的连续漏极电流，这为其在设计高效能电源管理电路中提供了很好的灵活性。同时，Rds On 的表现使得 PMCM4401VPEZ 能够有效减少热损耗，提高系统的整体效率。
输入与输出特性
在不同的栅极源极电压 (Vgs) 条件下，该器件的栅极电荷 (Qg) 最大为 10nC，因此适合高频开关应用，保证了快速的开关性能。此外，输入电容 (Ciss) 最大值为 415pF，这为高速度操作提供了良好的条件，特别是在需要快速开关的导通和关断场合。
使用环境
PMCM4401VPEZ 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，这使其能够在多种极端环境下可靠工作，因此适合用于汽车、工业控制和航空航天等领域的应用。优良的温度适应性使得该器件在高温条件下依然能够稳定工作，满足严苛的应用需求。
封装与安装
PMCM4401VPEZ 采用 4-WLCSP 封装（尺寸为 0.78mm x 0.78mm），其小巧的尺寸使得其非常适合现代高密度电路设计中，有助于节省 PCB 空间并提高设计灵活性。表面贴装技术使其在组装过程中更具效率，减少了焊接失误的风险，从而提升了整体的生产能力。
应用领域
由于其优异的性能，PMCM4401VPEZ 广泛用于以下应用：
- 开关电源：作为电源管理电路中的开关元件，提供高效的电能转换。
- 负载开关：在分布式电源系统和灯光控制等应用中用于控制负载的开关。
- 信号放大器：在低功耗放大器电路中作为信号开关元件。
- 电池管理：在电动汽车和便携式设备中进行负载控制，实现更高的能效。
总结
PMCM4401VPEZ 是一款性能优异、适用范围广泛的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和温度适应能力，成为多种高效能电子系统中的一个可靠选择。无论是在汽车、工业控制，还是消费电子领域，PMCM4401VPEZ 都提供了解决设计挑战的理想方案，为实现可靠和高效的电源管理提供了有力支持。