制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.5 毫欧 @ 25A,5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
Vgs(最大值) | ±10V | 功率耗散(最大值) | 357W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 120nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 17450pF @ 25V |
BUK962R5-60E,118 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET,专为汽车应用而设计,符合 AEC-Q101 标准。作为 TrenchMOS™ 系列的一部分,该器件在高温和极端环境下表现出色,适用于各种高功率电子电路和系统的投资。这款 MOSFET 的设计旨在提供高效率和可靠性,能够满足诸如电动汽车、便携式设备和电力转换器等严苛应用的需求。
该 MOSFET 的主要应用是在高功率和高电流环境中,具有以下突出性能参数:
最大漏极电流 (Id):在 25°C 的工作条件下,BUK962R5-60E,118 能够承受高达 120A 的连续漏极电流,确保在重载和高功率操作时可以安全运行,适合电机驱动和电源管理的应用。
导通电阻 (Rds(on)):在 5V 的栅极驱动电压下,该器件的导通电阻最大值为 2.5 毫欧(@ 25A),这一较低的导通电阻值极大地减少了功耗,提高了系统效率,同时降低了散热需求。
漏源电压 (Vdss):BUK962R5-60E,118 的最大漏源电压为 60V,能够有效处理快速开关及电压瞬态,同时适应多种电源电路。
工作温度范围:该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,适合在各种极端环境条件下可靠运行。这使得其在高温和严苛环境的汽车应用中尤为重要。
BUK962R5-60E,118 具备出色的驱动能力,最大栅极电荷 (Qg) 为 120nC(@ 5V),为实现快速开关和小功耗提供了保障,降低了驱动电路的复杂性与成本。同时,它的栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.1V(@ 1mA),这使得其在低电压驱动下也能快速开启,有助于提高电源的响应速度。
BUK962R5-60E,118 采用 D2PAK 封装形式,这种封装设计有效地优化了热管理,并便于表面贴装,能够在有限的空间内提供良好的散热性能。同时,该器件的封装符合行业标准,如 TO-263-3 和 D²Pak,确保与现有电路的兼容性,提升了设计的灵活性。
BUK962R5-60E,118 特别适用于以下应用领域:
BUK962R5-60E,118 是一款先进的高电流 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的性能与可靠性,能够满足各类高功率应用的需求。无论是在汽车行业还是工业设备中,该器件都是实现高效率和长寿命设计的理想选择。Nexperia 作为知名的电子元件制造商,致力于提供技术领先、质量优异的解决方案,确保设计工程师能在各种应用中获得最佳性能。