FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.7nC @ 10V |
Vgs(最大值) | +20V, -10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 801pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 44W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
封装/外壳 | SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) |
BUK7M15-40HX是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),属于Nexperia(安世)品牌旗下的产品,采用先进的LFPAK33封装,具有优良的热管理性能和电气特性。设计上适用于各种高频开关、逆变器、功率放大器和驱动器等多种应用场景,充分满足现代电子产品对高效率、低损耗的需求。
BUK7M15-40HX采用SOT-1210封装,属于LFPAK33类型,具有良好的散热性能和机械强度,适合表面贴装(SMD)应用。这一封装设计使得其在节省空间的同时,能够有效降低因功率耗散而造成的温升,延长元器件的使用寿命。
BUK7M15-40HX的漏源电压高达40V,使其可在较高电压环境下稳定工作。此外,30A的最大连续漏极电流为其提供了极大的功率处理能力,这使得它能够高效地承载电流并在实际应用中表现出色。其最大导通电阻为15毫欧,能够大大降低在驱动负载时产生的功耗,提升整体系统的能效。
BUK7M15-40HX广泛应用于各类电子设备和系统中,尤其是在需要大电流和高效率的场合,例如:
BUK7M15-40HX是一款技术成熟、性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其强大的电气特性、优良的散热性能以及宽广的工作温度范围,成为了一系列高要求应用的理想解决方案。Nexperia作为知名的半导体供应商,凭借其专业的制造工艺和严格的质量控制,为客户提供了可靠的产品支持。
在当今快速发展的电子行业中,选择BUK7M15-40HX,将为您的设计带来更高的效能,更低的能量损耗,也将进一步推动产品的市场竞争力。无论是在新产品开发还是在现有系统改进中,该产品都将是您不可或缺的选择。