PMN42XPEAH
PMN42XPEAH参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 3A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta），8.33W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP | 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1410pF @ 10V |
PMN42XPEAH手册
PMN42XPEAH概述
产品概述：PMN42XPEAH
PMN42XPEAH 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 P 通道 MOSFET，特别设计用于苛刻的汽车应用以及满足 AEC-Q101 认证的标准。该器件采用 TrenchMOS™ 技术，具备杰出的电气性能和热管理能力，确保在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
基本特性
电流与电压能力：在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 的连续漏极电流（Id）达到 5.7A，适用于多种负载。器件的漏源电压（Vdss）为 20V，保证其能够在一定的电压范围内稳定工作，为应用提供了广泛的灵活性。
驱动电压：该器件的驱动电压范围从 2.5V 到 4.5V 可选，支持广泛的控制信号，使其能有效地与各种逻辑电平兼容。此外，PMN42XPEAH 的栅源电压（Vgs）最大值为 ±12V，这确保了在操作过程中的安全性和可靠性。
导通电阻：在多个 Id 和 Vgs 条件下，PMN42XPEAH 的最大导通电阻（Rds On）为 46 毫欧，在 4.5V 驱动电压和 3A 漏极电流的情况下表现尤为突出。这一特性使其在开关状态下产生较少的功耗，提升整体效率。
栅极阈值电压：器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1.25V（以 250µA 电流测试），使得在较低电压下即可有效导通，从而实现快速开关。在低电压应用中尤其有效，能够延长电池寿命。
封装与热管理：PMN42XPEAH 采用 SOT-457 封装（SC-74），适合表面贴装技术（SMT），其功率耗散在常温（Ta）下最多可达到 500mW，在加热条件下（Tc）更可达到 8.33W。这使得该器件在高功率和高温条件下表现同样出色，适合汽车及其他高功率应用。
温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境条件下也能正常工作。这一特性特别适合于需要在严峻环境中常年使用的汽车电子设备。
应用领域
PMN42XPEAH 的设计使其成为多种汽车应用的理想选择，包括但不限于：
- 电动机控制
- 电源管理
- 开关电源
- 驱动器电路
- LED 驱动
- 电池管理系统
得益于其较低的导通电阻和高耐热性，该 MOSFET 可以有效减少能耗，并提高系统的热效率，这对于现代汽车电子设备至关重要。
总结
PMN42XPEAH 是一款结合了高性能与可靠性的 P 通道 MOSFET，能够满足汽车行业中对电子元器件的严格需求。凭借其强大的电流承载能力、低导通电阻和优异的热管理性能，使其在各种汽车应用中均能发挥重要作用。这款 MOSFET 是现代汽车电子设备中不可或缺的核心元器件之一，为可持续性和高效能的电源管理奠定了基础。无论是在电动汽车还是传统燃油汽车的电气控制系统中，PMN42XPEAH 都展现出了优异的综合性能。