PEMD10,115

产品概述：PEMD10,115

基本信息

PEMD10,115 是基于 Nexperia USA Inc. 的数字预偏置晶体管，采用 SOT-666 封装，适用于各种电子电路设计。该器件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，提供了灵活的电路解决方案，尤其适合要求较低功耗以及小型化设计的应用场景。其最大集电极电流为 100mA，适合多种中低功率环境，为不同的电路拓扑提供支持。

技术规格

• 制造商：Nexperia USA Inc.
• 封装：SOT-666（表面贴装型）
• 零件状态：有源（active）
• 晶体管类型：NPN 和 PNP 预偏压式（双向）
• 最大集电极电流（Ic）：100mA
• 最大集射极击穿电压（Vce）：50V
• 基极电阻（R1）：2.2kΩ
• 发射极电阻（R2）：47kΩ
• DC 电流增益（hFE）：最小值 100 @ 10mA，5V
• Vce 饱和压降（最大值）：0.1V @ 250µA，5mA
• 集电极截止电流（最大值）：1µA
• 最大功率：300mW
• 供应商器件封装：SOT-666

主要特性与优势

1. 高电流放大能力：PEMD10,115 的 DC 电流增益（hFE) 达到 100，使其能够在较低的基极电流下提供较高的集电极电流，非常适合驱动低功耗负载。

2. 低饱和压降：当通电条件下，设备的 Vce 饱和压降最大为 100mV，这意味着在开关状态下，其能量损耗非常低，有效提高电路的整体能效。

3. 宽广的应用范围：因其电压和电流的规格，PEMD10,115 在消费电子、工业控制、信号放大，特定的线性放大等应用中均表现良好。

4. 小型化设计：SOT-666 封装意味着这个晶体管占用空间小，适合现代电子设备向小型化和集成化发展的趋势，尤其对空间要求严苛的设计来说是一个理想选择。

5. 优异的热特性：如此规格的功率 (300mW) 是合理的，特别是在持续高温工作环境中，确保了器件的可靠性和稳定性。

应用场景

PEMD10,115 适合于以下几种典型应用：

• 开关电路：作为开关驱动晶体管，控制电动机、灯光等负载，具有灵敏度高和驱动能力强的特点。
• 信号放大：适用于音频放大器，射频放大器，可以在信号较弱的情况下提供有效的信号增益。
• 数字电路：在数字逻辑电路中，作为布尔运算元件，实现 AND、OR、NOT 等逻辑功能。
• 传感器接口：可以用于各种传感器的翻译电路，将传感器输出的微弱信号放大至可用于后级设备的水平。

结论

PEMD10,115 是一款功能强大且灵活的数字预偏置晶体管，因其小型化和高性能特点，适合现代电子设备的各种需求。无论在消费电子、工业控制还是其他电子应用中，它都能发挥出色的表现，为工程师和设计师提供有效的解决方案。无论是开发新产品，还是替换现有设计，PEMD10,115 都是考虑的优越选择。