PDTC123EM,315
PDTC123EM,315参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 基本产品编号 | PDTC123 |
PDTC123EM,315手册
PDTC123EM,315概述
产品概述：PDTC123EM,315
一、产品背景
在快速发展的电子行业中，数字信号处理和功率管理等应用的需求日益增加。为了满足现代电子设备对性能及可靠性的要求，Nexperia（安世半导体）推出了PDTC123EM,315，这是一款专为高性能应用设计的NPN预偏压数字晶体管。该器件不仅兼具优异的电流增益和低饱和压降特性，还能在较高的工作电压和电流条件下稳定运行，非常适合于电子开关、放大器及信号处理等各类电路。
二、产品规格
PDTC123EM,315是表面贴装型(SMD)的晶体管，采用SOT-883封装，具有紧凑的体积和较低的占板空间，使其在高密度电路板设计中表现出色。其基本技术参数如下：
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 零件状态: 有源
- 晶体管类型: NPN - 预偏压
- DC电流增益（hFE）: 最小30 @ 20mA, 5V
- Vce饱和压降: 最大150mV @ 500µA, 10mA
- 集电极截止电流: 最大1µA
- 集电极电流（Ic）: 最大100mA
- 电压 - 集射极击穿: 最大50V
- 功率最大值: 250mW
- 封装/外壳: SC-101，SOT-883
- 供应商器件封装: DFN1006-3
- 基极电阻（R1）和发射极电阻（R2）: 2.2 kΩ
三、性能优势
高电流增益: PDTC123EM,315在常见工作条件下提供的电流增益达30，显著提升了电子设备的放大能力和开关性能。
低饱和压降: 饱和压降低至150mV，确保晶体管在开启状态时的能量损耗降至最低，提高了整体系统的效率和稳定性。
小体积与高集成度: SOT-883封装的设计在占用空间方面具有优势，非常适合于现代紧凑型电路板，满足小型化设备的需求。
高可靠性: 经过严格测试的集电极截止电流，最高不超过1µA，大幅度降低了设备在待机状态下的电流消耗，从而提升了产品整体的可靠性和使用寿命。
广泛的应用场景: PDTC123EM,315适用于开关电源、信号放大、音频放大、驱动电路以及各种需要高频开关操作的数字电路中。
四、应用领域
PDTC123EM,315的设计使其能够在多个行业和应用中大展身手，其中包括但不限于：
消费电子产品: 诸如智能手机、平板电脑及可穿戴设备等领域中，可靠性与功效的提升对消费者体验至关重要。
汽车电子: 在汽车的自动驾驶、车载娱乐及电源管理系统中，数字晶体管的高性能有利于确保系统的稳定运行。
工业控制: 在PLC、传感器和执行器等设备中，PDTC123EM,315将成为实现高效控制的关键元件。
五、总结与前景
PDTC123EM,315凭借超高的电流增益和优良的电压、功率特性，成为了优秀的NPN预偏压数字晶体管选项。随着电子设备的不断小型化和复杂化，这种高性能元器件将继续受到广泛欢迎，推动着多个行业的技术进步。 Nexperia将继续致力于为客户提供创新、可靠的电子解决方案，进一步拓展PDTC123EM,315及其系列产品的应用潜力。
总之，PDTC123EM,315是您电路设计中不可或缺的重要组成部分，助力您的产品在市场中脱颖而出。