NX3008PBKS,115
NX3008PBKS,115参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA | FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.75nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 445mW |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
NX3008PBKS,115手册
NX3008PBKS,115概述
产品概述：NX3008PBKS,115
概述
NX3008PBKS,115是一款高效能的MOSFET器件，属于双P沟道场效应管，特别适合用于逻辑电平驱动的应用。这款器件由知名品牌Nexperia（安世）制造，具备高度集成化和可靠性的特性，广泛应用于电源开关、信号调理和低功耗电路中。
电气特性
导通电阻（Rds(on)：在25°C环境下，该器件在200mA电流和4.5V栅极电压条件下的最大导通电阻为4.1Ω。低导通电阻使得NX3008PBKS,115在开启状态下能够实现较低的功耗，从而提高整体能效。
漏极电流（Id）：器件设计允许最大连续漏极电流为200mA，能够满足大部分典型应用的需求，非常适合电源管理和信号开关。
漏源电压（Vdss）：最大漏源电压为30V，能够承受多种应用场合下的电压要求，确保在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
栅源阈值电压（Vgs(th)）：在250µA漏极电流时，最大栅源开启电压为1.1V，特别适合逻辑电平驱动，确保在较低的控制电压下能够实现可靠开关。
栅极电荷（Qg）：在4.5V栅电压条件下，栅极电荷为最大0.75nC，具有快速开启和关闭的特性，适合高频应用，提高开关频率时的响应速度。
输入电容（Ciss）：最大值为46pF（15V），这一特性允许在应用中实现高效的信号处理和低失真。
封装与安装
NX3008PBKS,115采用小型的SOT-363封装，具有出色的散热性能和空间利用效率，适合空间受限的应用，如便携式设备和紧凑型PCB布局。该组件为表面贴装型（SMD）设计，符合现代电子产品的组装需求，能够提高生产效率。
工作环境
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛环境条件。它能够稳定工作在高温和低温环境中，确保在广泛的工业和消费类电子领域中的可靠性。
应用领域
NX3008PBKS,115的设计使得其成为多种应用的理想选择，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电池管理系统
- 笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的功率开关
- 信号放大和隔离
- 低功耗逻辑电路
结论
总的来说，NX3008PBKS,115是一款高性能、稳定性强且适用范围广的P沟道MOSFET，其优异的电气特性和紧凑的封装设计，使其在现代电子设备中具有极高的应用价值。无论是在电源管理还是信号调理领域，该器件均能够有效地提升系统的性能和效率，是电子工程师设计和制造高效电子解决方案的首选。