PDTC115EM,315 产品实物图片
PDTC115EM,315 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PDTC115EM,315

商品编码: BM0084330356
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-883
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 20mA 1个NPN-预偏置 SOT-883-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.309
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.309
--
150+
¥0.221
--
1000+
¥0.2
--
5000+
¥0.189
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC115EM,315参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-101,SOT-883供应商器件封装DFN1006-3
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)100 kOhms
功率 - 最大值250mW基本产品编号PDTC115

PDTC115EM,315手册

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PDTC115EM,315概述

PDTC115EM,315 产品概述

基本信息概述

PDTC115EM,315 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能数字晶体管,封装形式为SOT-883,适用于表面贴装(SMD)应用。该晶体管为NPN类型,属于预偏置特性,使其在低电流操作下依旧能够确保良好的增益和可靠性。此晶体管的额定最大功率为250mW,电流规格为20mA,适合低功耗设计中使用。

电气特性

PDTC115EM,315 的主要电气特性包括:

  1. 直流电流增益 (hFE): 在5V电压下,5mA集电极电流时,允许的最低电流增益为80。这一增益值确保了在常见的工作条件下,器件能够有效地放大输入信号,使其在数字电路中广泛适用。

  2. 饱和压力降: 在250µA的输入基极电流(Ib)与5mA的集电极电流(Ic)下,最大Vce饱和压降仅为150mV。这意味着此器件在开关状态下的功耗相对较低,适合高效能的设计需求。

  3. 集电极截止电流: 最大集电极截止电流仅为1µA,这保证了在关断状态下,该器件具有极低的漏电流,因此在待机模式下非常节能,并能够有效延长电池供电的设备使用寿命。

  4. 耐压特性: 最大集射极击穿电压为50V,适合于较高电压应用场合。此外,该器件在各种环境下均表现出优秀的耐压和稳定性。

电路应用

PDTC115EM,315 适用于多种电路设计,尤其是在数字电路及逻辑电路中。具体应用包括,但不限于:

  • 开关电源: 由于其低饱和压降和高电流增益特性,此器件可作为低功耗开关的驱动器。
  • 逻辑电路: 在音频、视频或其他数据伺服电路中,此NPN晶体管可用于信号放大和开关功能。
  • 传感器接口: 在传感器接口电路中,它能起到信号放大的作用并控制负载。

设计考虑

在设计电路时,需要注意几点:

  1. 基极电阻选择: 通常情况下,选择100kΩ的基极电阻(R1)可以提供适当的基极电流,确保晶体管在要求的工作状态下稳定工作。

  2. 发射极电阻: 选择100kΩ的发射极电阻(R2)可以帮助稳定电流,并且减少温度漂移的影响,从而提高电路的线性度。

  3. 热管理: 由于PDTC115EM,315具有最大功率250mW,应在设计中考虑合适的散热措施,以防止器件过热导致性能下降或损坏。

总结

PDTC115EM,315 是一款高效、可靠的NPN预偏置数字晶体管,设计用于表面贴装技术,适合多种低功耗电子设备的应用。其优异的电气特性、适中的工作范围和封装优势,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础组件。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,PDTC115EM,315 都展现出了广泛的应用潜力,是工程师与设计师的理想选择。