制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms |
功率 - 最大值 | 250mW | 基本产品编号 | PDTC115 |
基本信息概述
PDTC115EM,315 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能数字晶体管,封装形式为SOT-883,适用于表面贴装(SMD)应用。该晶体管为NPN类型,属于预偏置特性,使其在低电流操作下依旧能够确保良好的增益和可靠性。此晶体管的额定最大功率为250mW,电流规格为20mA,适合低功耗设计中使用。
电气特性
PDTC115EM,315 的主要电气特性包括:
直流电流增益 (hFE): 在5V电压下,5mA集电极电流时,允许的最低电流增益为80。这一增益值确保了在常见的工作条件下,器件能够有效地放大输入信号,使其在数字电路中广泛适用。
饱和压力降: 在250µA的输入基极电流(Ib)与5mA的集电极电流(Ic)下,最大Vce饱和压降仅为150mV。这意味着此器件在开关状态下的功耗相对较低,适合高效能的设计需求。
集电极截止电流: 最大集电极截止电流仅为1µA,这保证了在关断状态下,该器件具有极低的漏电流,因此在待机模式下非常节能,并能够有效延长电池供电的设备使用寿命。
耐压特性: 最大集射极击穿电压为50V,适合于较高电压应用场合。此外,该器件在各种环境下均表现出优秀的耐压和稳定性。
电路应用
PDTC115EM,315 适用于多种电路设计,尤其是在数字电路及逻辑电路中。具体应用包括,但不限于:
设计考虑
在设计电路时,需要注意几点:
基极电阻选择: 通常情况下,选择100kΩ的基极电阻(R1)可以提供适当的基极电流,确保晶体管在要求的工作状态下稳定工作。
发射极电阻: 选择100kΩ的发射极电阻(R2)可以帮助稳定电流,并且减少温度漂移的影响,从而提高电路的线性度。
热管理: 由于PDTC115EM,315具有最大功率250mW,应在设计中考虑合适的散热措施,以防止器件过热导致性能下降或损坏。
总结
PDTC115EM,315 是一款高效、可靠的NPN预偏置数字晶体管,设计用于表面贴装技术,适合多种低功耗电子设备的应用。其优异的电气特性、适中的工作范围和封装优势,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础组件。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,PDTC115EM,315 都展现出了广泛的应用潜力,是工程师与设计师的理想选择。