BC847AM,315 产品实物图片
BC847AM,315 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC847AM,315

商品编码: BM0084330348
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN DFN-3L(1x0.6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.278
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.278
--
150+
¥0.198
--
1000+
¥0.18
--
5000+
¥0.17
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC847AM,315参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)110 @ 2mA,5V
功率 - 最大值250mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-101,SOT-883供应商器件封装DFN1006-3

BC847AM,315手册

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BC847AM,315概述

产品概述:BC847AM,315 NPN 晶体管

一、基本信息

BC847AM,315 是一款由安世(Nexperia)公司推出的高性能 NPN 晶体管,其最大集电极电流(Ic)为 100mA,集射极击穿电压最大值为 45V。这款晶体管在不同电流条件下显示出良好的性能,适合用于多种电子应用。其集电极截止电流最大值为 15nA,保证了在低电流状态下的极低漏电流。

二、关键参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流(Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压(Vce):45V
  • Vce 饱和压降:最大 400mV(在 5mA 和 100mA 的 Ic 下)
  • ICBO(集电极截止电流):15nA
  • DC 电流增益(hFE):最小值为 110(在 2mA 和 5V 下)
  • 功率消耗(Ptot):最大 250mW
  • 频率响应(fT):100MHz
  • 工作温度(TJ):最高可达 150°C
  • 封装类型:DFN-3L(1006-3),适用于表面贴装

三、设计和封装规范

BC847AM,315 采用 DFN1006-3 封装,这是一种小型化、表面贴装的封装形式,非常适合现代电子设备对体积和性能的双重要求。DFN(Dual Flat No-lead)封装在减少空间的同时,还提供了更好的散热性能,有助于提升晶体管的功率处理能力。

四、应用领域

BC847AM,315 因其具备优秀的电流增益和频率响应,被广泛应用于以下几个方面:

  1. 放大电路:在音频放大器和信号放大器中,由于其高增益特性,使其能够有效放大微弱信号。

  2. 开关电路:其较高的 Ic 和 Vce 指标,使得 BC847AM,315 可作为有效的开关元件,适用于各种开关电源和逻辑电路。

  3. 射频应用:其高频特性(100MHz 的跃迁频率)使得此款晶体管非常适合应用在射频放大器、调制解调器和无线通信设备中。

  4. 电源管理:可用于电源控制和稳压电路。

五、优势和特点

  • 高增益:凭借其最小值为110的 dc 电流增益,能够在低输入电流的情况下实现更高的输出电流。
  • 低功耗:15nA 的 ICBO 确保了在待机状态下的极低功耗,非常适合设计节能设备。
  • 高耐压及高温性能:其 45V 的集射极击穿电压和可承受的 150°C 工作温度,为其在多种复杂环境下的应用提供了更多可能性。
  • 小型化设计:DFN-3L 封装能够有效节省电路板空间,使得设备更为轻巧且便于集成。

六、总结

BC847AM,315 晶体管是一个出色的电子元件,适合现代电子设计需求。它结合了高性能参数、小型化封装及广泛的应用场景,是各类电子产品开发中的理想选择。无论是在音频放大、射频应用还是电源管理领域,BC847AM,315均能展现其卓越的性能和可靠性。安世(Nexperia)凭借其在半导体领域的深厚技术积累,确保了该产品的高质量及稳定性,是电子工程师们值得信赖的选择。