PEMD6,115
PEMD6,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 100mV @ 250µA，5mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 基本产品编号 | P*MD6 |
PEMD6,115手册
PEMD6,115概述
PEMD6,115 产品概述
产品概述
PEMD6,115 是由 Nexperia USA Inc. 设计和制造的一款数字预偏置型双晶体管，封装采用了小型而灵活的 SOT-666 表面贴装封装形式。该器件集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管，主要用于低功耗数字电路中的开关和放大应用。其极低的功耗和高效的性能使其成为现代电子设备中理想的选择。
主要特性
类型和结构：PEMD6,115 是一个包含 NPN 和 PNP 晶体管的双晶体管，具备预偏置功能，能够在多种工作条件下保持良好的性能。该设计减少了外部元件的需求，简化了电路布局。
电流和电压规格：本产品的最大集电极电流 (Ic) 达到了 100mA，适合于各种中等功率的应用。此外，其集射极击穿电压 (Vce) 的最大值为 50V，确保其在较高电压下的安全运行。
增益特点：在不同的 Ic 和 Vce 条件下，PEMD6,115 的直流电流增益 (hFE) 最小为 200，尤其是在 1mA 的偏置电流和 5V 的供电电压时。这一增益特性确保了其可以有效放大微弱信号。
低饱和压降：在 250µA 和 5mA 的条件下，饱和压降 (Vce) 最大值为 100mV，这使得该晶体管在开关操作中表现出优良的效率，减少了功率损耗。
低集电极截止电流：最大集电极截止电流仅为 1µA，意味着在断开状态下，器件的漏电流非常微小，从而提高了电池供电系统的能效，特别适合便携设备的应用。
功率评级：其功率最大值为 300mW，适合在小型化设计中使用，如手机、平板电脑和其他便携式设备。
封装形式：PEMD6,115 采用的是 SOT-666 封装，具有小型、轻便和低占用空间的特点，适合高度集成的现代电路设计。
应用领域
PEMD6,115 广泛应用于多种电子设备和电路中，主要包括：
- 消费电子：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
- 通信设备：在各种无线和有线通信设备中，用作信号放大和开关控制。
- 自动化设备：如家居自动化产品，能够快速响应控制信号。
- 工业电子：用于传感器和控制电路中，提供高效的集成解决方案。
总结
PEMD6,115 是隆重推出的一款高性能、低功耗的双晶体管，结合了 NPN 和 PNP 两种类型的功能，适合多种现代电子应用。其卓越的电气性能、紧凑的封装及卓越的可靠性，使其成为设计工程师在产品开发中重要的选择之一。无论是在性能稳定性还是在设计的灵活性方面，PEMD6,115 都展示了 Nexperia 在先进电子元件设计与制造方面的专业水平和竞争力。选择 PEMD6,115，将有助于您优化产品设计，提升市场竞争力。