注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PMN48XP,125
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-457
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 530mW；6.25W 20V 4.1A 1个P沟道 SOT-457
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.5按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.5
--
50+
￥1.15
--
1500+
￥1.05
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMN48XP,125参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 530mW（Ta），6.25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 10V |
PMN48XP,125手册
无数据
PMN48XP,125概述
产品概述：PMN48XP,125
简介
PMN48XP,125是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能P沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），专门设计用于低电压、高效率的电子电路。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，该元件广泛应用于电源管理、开关电路以及各种消费类电子产品中。
关键特性
- FET 类型: P 通道
- 最大漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 4.1A（工作环境温度25°C）
- 导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V的栅极驱动下，最大导通电阻为55毫欧（在4.4A电流时测量）
- 门极阈值电压（Vgs(th)）: 1.25V @ 250µA
- 栅极驱动电压: 在2.5V及4.5V下提供最优性能
- 功率耗散能力: 530mW（在25°C的环境温度下），6.25W（在接触温度情况下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，保证在极端环境中的可靠性
- 封装类型: SOT-457 (SC-74)，适合表面贴装（SMD）技术
- 电气特性: 栅极电荷(Qg)低至13nC @ 4.5V；输入电容(Ciss)最大值为1000pF @ 10V
应用领域
PMN48XP,125因其优异的电气特性尤其适用于下列应用：
- 电源管理电路：如DC-DC转换器、线性稳压器等。
- 开关电路：用于高效的负载开关控制。
- 消费电子产品：适用于LED驱动、高频开关电源和便携设备等。
- 汽车电子：在车载电源和低压驱动应用中表现出色。
- 电池管理系统：在电池充电和放电过程中提供精确的控制。
性能优势
- 低导通电阻: 该MOSFET的低Rds(on)特性帮助降低导通损耗，提高系统效率。
- 宽工作温度范围: 可在极端温度条件下正常工作，提高了设备的可靠性和耐用性。
- 低栅极电荷: 该特性允许更快的开关速度，适合高频应用，减少开关损耗。
- 小型封装: SOT-457封装提供紧凑设计，节省PCB空间，适合现代小型化设备。
结论
PMN48XP,125是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，适合各种工业和消费类应用。其优化的电气特性、宽广的工作温度范围和适合表面贴装的封装类型，使其成为设计工程师的优选元件。无论是用于电源管理、开关控制还是在各种严苛环境下的应用，PMN48XP,125都能够满足性能需求，为现代电子产品的设计提供强有力的支持。借助Nexperia提供的先进制造工艺和可持续性，PMN48XP,125不仅能提升产品性能，还能助力降低整体成本。