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BUK9Y59-60E,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-669
包装 :
编带
重量 :
0.112g
描述 :
场效应管(MOSFET) 37W 60V 16.7A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.82按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.82
--
50+
￥2.35
--
750+
￥2.18
--
1500+
￥2.02
--
9000+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK9Y59-60E,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16.7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±10V | 功率耗散（最大值） | 37W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.1nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 715pF @ 25V |
BUK9Y59-60E,115手册
无数据
BUK9Y59-60E,115概述
BUK9Y59-60E,115 产品概述
产品简介
BUK9Y59-60E,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET，专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准。这款场效应管集结合了高可靠性和卓越的电气性能，满足现代电子设备在功率管理和控制方面的严格要求。
基本特性
BUK9Y59-60E,115 的主要参数包括：
- 电流承载能力：在 25°C 工作环境下，连续漏极电流可达 16.7A。这使其能够在多种电力应用中高效运作，确保良好的热性能并降低发热量。
- 最大漏源电压 (Vdss)：可承受高达 60V 的电压，使其适用于高压工作环境。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 5V 栅极电压下，其最大导通电阻为 52 毫欧，确保低功耗和高效率的电流传输。
- 功率耗散：最大功率耗散能力为 37W (Tc)，大大提高了在高负载条件下的稳定性。
- 工作温度范围：可在-55°C 至 175°C 的极端温度条件下运行，适应汽车领域严苛的环境。
驱动与特性
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 2.1V @ 1mA，确保低驱动电压下也能迅速导通，为设计者提供更多的灵活性。
- 栅极电荷 (Qg)：在 5V 驱动下，栅极电荷为 6.1nC，意味着 MOSFET 开关速度快，对于高频率开关应用尤为重要。
- 输入电容 (Ciss)：在 25V 条件下，其输入电容最大值为 715pF，这有助于提高整体开关效率，并减少开关损失。
封装信息
BUK9Y59-60E,115 采用 LFPAK56 封装设计，符合 SC-100 和 SOT-669 尺寸标准，具备良好的散热性能，适合表面贴装（SMD）技术，使其在自动化生产和电路集成中更加便捷。
应用领域
BUK9Y59-60E,115，凭借其高电流承载能力和低导通损耗，广泛应用于汽车电子系统、直流-直流转换器、电机驱动、功率管理模块和其他需要高效开关的大功率应用场合。在现代汽车电气系统中，能有效提升能效和延长系统寿命。
总结
BUK9Y59-60E,115 是一款设计精良的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围及符合严格汽车标准的可靠性，成为工程师在高性能电源管理应用中的理想选择。无论是在高负载条件下，还是复杂电路设计中，BUK9Y59-60E,115 都能提供可靠的解决方案，为推动电气工程与技术革新贡献力量。