FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 72 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1690pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 8W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
产品概述:BUK9875-100A/CUX N 通道 MOSFET
在现代电子电路设计中,场效应管(MOSFET)因其优异的开关性能和高效率,广泛应用于电源管理、通信设备、工业控制及汽车电子等场合。其中,BUK9875-100A/CUX是一款由Nexperia(安世)提供的高性能N通道MOSFET,适合要求高电压、高电流的应用环境。以下将对该器件的基础参数、技术特性及应用场合进行详细介绍。
BUK9875-100A/CUX的主要参数包括:
BUK9875-100A/CUX集成了多项先进的技术特性,确保其在实际应用中的稳定性与可靠性:
由于BUK9875-100A/CUX的卓越性能及广泛的工作范围,主要应用于以下几个领域:
BUK9875-100A/CUX是一款经典的N通道MOSFET,凭借其较高的漏源电压、优良的导通电阻和宽广的工作温度范围,成为了众多高频、高效能电路的核心元件。其出色的技术特点不仅适用于一般的电源管理,还涵盖了对环境适应性要求较高的应用领域,是现代电子设计中不可或缺的组成部分。对于设计工程师而言,选择BUK9875-100A/CUX将有助于实现节能、高效且稳定的电子产品。