PMGD290UCEAX
PMGD290UCEAX参数
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 725mA，500mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 500mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.68nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 83pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 280mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PMGD290UCEAX手册
PMGD290UCEAX概述
PMGD290UCEAX 产品概述
PMGD290UCEAX是一款高性能的场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商Nexperia（安世）出品。该产品采用了先进的工艺技术，结合了N沟道和P沟道MOSFET的特点，为各种电子应用提供了可靠的解决方案。其主要应用领域包括低功耗的开关电路、信号调理电路以及各类逻辑电平门电路。
基础参数特点
FET类型：PMGD290UCEAX集成了N沟道和P沟道的两个MOSFET，支持多种工作模式，灵活性强，适合复杂的电路设计需求。
漏源电压（Vdss）：该产品的最大漏源电压为20V，这使得PMGD290UCEAX能够在中等电压环境下稳定运行，非常适合用于一些低电压和中电压的应用场景。
电流规格：
- 在25°C环境温度下，N沟道MOSFET的最大连续漏电流（Id）可达725mA，而P沟道MOSFET的最大Id可达500mA。这使得PMGD290UCEAX适合处理较大的负载电流，同时又不损失效率。
导通电阻（RDS(on)）：在4.5V的门源电压下，当漏极电流为500mA时，其最大导通电阻为380毫欧。这一低导通电阻极大地减少了开关损耗，提高了电路的整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的漏电流下，栅极阈值电压最大值为1.3V。这表示PMGD290UCEAX能够在较低的驱动电压下工作，增强了其在逻辑电平控制电路中的适用性。
栅极电荷（Qg）：该设备在4.5V时的最大栅极电荷为0.68nC，展示了其快速开关特性，适合高频应用环境。
输入电容（Ciss）：在10V时的输入电容最大值为83pF。该特性确保了其对高频信号的良好响应，使其在RF应用中表现出色。
功率处理能力：PMGD290UCEAX的最大功率为280mW，额外提升了其在小型功率设备中的应用潜力。
工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，说明其在恶劣环境条件下的可靠性。
封装与安装
PMGD290UCEAX采用表面贴装型3引脚封装（SOT-363），集成在6-TSSOP封装中。这种小型化的设计不仅节省了板上空间，还提高了组件的散热性能和电气性能。适应现代电子设备日益紧凑的设计要求，便于自动化贴装，大大提升了生产效率。
应用场景
PMGD290UCEAX特别适合于各种需要MOSFET的电源管理应用，如DC-DC转换器、LED驱动、马达驱动及各种传感器接口。其优秀的导通特性和低电流消耗使得它能在移动设备中有效延长工作时间，同时在智能家居、工业自动化及通信设备中也表现出色。
总结
作为一款高效能、低功耗的MOSFET，PMGD290UCEAX不仅在性能参数上具有竞争力，其广泛的应用场景和出色的工作特性使其成为设计工程师的理想选择。Nexperia为其提供的可靠性和技术支持使得该产品在市场中具有吸引力，是电子设计中的重要组成部分。无论是在需要大电流控制的场合，还是在低功耗应用场景下，PMGD290UCEAX都能够满足用户对性能和效率的高需求。