FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 167W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
BUK7Y7R2-60EX是一款由知名电子元器件制造商Nexperia(安世)提供的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。本产品采用了高性能的MOSFET技术,设计用于各种需要高效率和高功率处理的电源管理和开关应用场合,如电源转换器、马达驱动、电池管理系统等。凭借其优越的电气性能和温度适应范围,BUK7Y7R2-60EX能够满足现代电子设备对性能和可靠性的要求。
FET类型:N通道,这是最常用的MOSFET类型,适用于大多数电子开关和放大应用。
技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通过在栅极施加电压来控制漏极和源极之间的电流,具有低导通损耗和快速切换特性。
漏源电压(Vdss):60V,表明该器件在正常工作条件下能够承受的最大电压,这使得BUK7Y7R2-60EX非常适合用于家庭电器、电动工具和汽车电子应用。
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,确保可以在适合的驱动条件下实现最低电阻值,进而降低开关损耗。
Vgs(最大值):±20V,意味着该器件在栅源电压可幅度的灵活性,这对于保护集成电路和提升其稳定性至关重要。
功率耗散(最大值):167W(Tc),提供强大的散热能力,能够满足高功率应用的需求,同时低温漂移特性可在严苛环境下维持稳定性能。
工作温度范围:-55°C ~ 175°C(TJ),宽广的工作温度范围使得BUK7Y7R2-60EX可在极端温度条件下正常运行,适合航天、军事及工业设备等应用。
安装类型:表面贴装型(SMD),使得该器件非常便于自动化生产和紧凑设计的电子设备中,能够节省空间并提高装配效率。
封装类型:SOT-669,紧凑的封装结构适合于高功率密度的应用场合,有助于提升整个电路的性能和散热管理。
供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8,额外增强了该器件在多种应用中的适应能力。
BUK7Y7R2-60EX MOSFET非常适合于多种场合,例如:
BUK7Y7R2-60EX凭借其卓越的综合性能、广泛的应用范围和耐用性,成为了许多现代电子产品中不可或缺的元器件。作为Nexperia的高品质产品,其优秀的热管理性能和宽广的工作温度范围,使得其在高负载和严苛环境中仍能维持稳定运行。无论是用于新设计还是作为传统应用的替代器件,BUK7Y7R2-60EX都能为设计师们提供可靠的解决方案。