BUK7Y7R2-60EX 产品实物图片
BUK7Y7R2-60EX 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BUK7Y7R2-60EX

商品编码: BM0084330325
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-669
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 167W 60V 100A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.18
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.18
--
100+
¥5.15
--
750+
¥4.69
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK7Y7R2-60EX参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)167W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8封装/外壳SC-100,SOT-669

BUK7Y7R2-60EX手册

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BUK7Y7R2-60EX概述

产品概述:BUK7Y7R2-60EX

BUK7Y7R2-60EX是一款由知名电子元器件制造商Nexperia(安世)提供的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。本产品采用了高性能的MOSFET技术,设计用于各种需要高效率和高功率处理的电源管理和开关应用场合,如电源转换器、马达驱动、电池管理系统等。凭借其优越的电气性能和温度适应范围,BUK7Y7R2-60EX能够满足现代电子设备对性能和可靠性的要求。

主要参数

  1. FET类型:N通道,这是最常用的MOSFET类型,适用于大多数电子开关和放大应用。

  2. 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通过在栅极施加电压来控制漏极和源极之间的电流,具有低导通损耗和快速切换特性。

  3. 漏源电压(Vdss):60V,表明该器件在正常工作条件下能够承受的最大电压,这使得BUK7Y7R2-60EX非常适合用于家庭电器、电动工具和汽车电子应用。

  4. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,确保可以在适合的驱动条件下实现最低电阻值,进而降低开关损耗。

  5. Vgs(最大值):±20V,意味着该器件在栅源电压可幅度的灵活性,这对于保护集成电路和提升其稳定性至关重要。

  6. 功率耗散(最大值):167W(Tc),提供强大的散热能力,能够满足高功率应用的需求,同时低温漂移特性可在严苛环境下维持稳定性能。

  7. 工作温度范围:-55°C ~ 175°C(TJ),宽广的工作温度范围使得BUK7Y7R2-60EX可在极端温度条件下正常运行,适合航天、军事及工业设备等应用。

  8. 安装类型:表面贴装型(SMD),使得该器件非常便于自动化生产和紧凑设计的电子设备中,能够节省空间并提高装配效率。

  9. 封装类型:SOT-669,紧凑的封装结构适合于高功率密度的应用场合,有助于提升整个电路的性能和散热管理。

  10. 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8,额外增强了该器件在多种应用中的适应能力。

应用场景

BUK7Y7R2-60EX MOSFET非常适合于多种场合,例如:

  • 电源管理:用于开关电源(SMPS)中,作为开关管调节输出功率,提升电源效率。
  • 马达控制:可作为马达驱动的开关管,实现高效的电机控制和驱动,适用于各种工业及家电马达。
  • 电池管理系统:用于电池充电和放电控制,保护电池,以延长其使用寿命。
  • 汽车电子:在汽车电子设备中,BUK7Y7R2-60EX可用于电源开关、灯光控制等应用。

总结

BUK7Y7R2-60EX凭借其卓越的综合性能、广泛的应用范围和耐用性,成为了许多现代电子产品中不可或缺的元器件。作为Nexperia的高品质产品,其优秀的热管理性能和宽广的工作温度范围,使得其在高负载和严苛环境中仍能维持稳定运行。无论是用于新设计还是作为传统应用的替代器件,BUK7Y7R2-60EX都能为设计师们提供可靠的解决方案。