BUK7M3R3-40HX
BUK7M3R3-40HX参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +20V， -10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3037pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 101W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） |
BUK7M3R3-40HX手册
BUK7M3R3-40HX概述
产品概述：BUK7M3R3-40HX
BUK7M3R3-40HX 是一款由 Nexperia（安世）公司生产的高性能 N-通道 MOSFET（场效应晶体管），其设计目标是满足现代电子设备在高效率、高功率和高温应用中的需求。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，特定为 LFPAK33（SOT-1210），具有良好的散热特性和易于自动化焊接的优势。
关键参数
FET 类型: BUK7M3R3-40HX 属于 N 频道 MOSFET，具备优异的开关特性，适合高效能电源管理和开关应用。
漏源电压 (Vdss): 器件的最大漏源电压为 40V，适用于大多数中等电压范围的应用，而其原材料的特性也保证了器件在此电压下的稳定性。
电流能力: 在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 可以承载高达 80A 的连续漏极电流，适合高功率电路设计，支持重负载应用。
导通电阻和功率耗散:
- Rds(on): 在 10V Vgs 和 25A Id 条件下，最大导通电阻为 3.3 毫欧，表现出优秀的低导通损耗特性。
- 功率耗散: 该器件能够承受最大功率耗散达 101W，这使其能在高功率应用中保持良好的工作状态。
工作温度范围: BUK7M3R3-40HX 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其能够在极端环境下稳定运行，尤其适合航空航天、汽车及工业设备。
栅极驱动: 器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 3.6V（@ 1mA），和最大 Vgs 为 +20V，与 -10V 的负栅极电压提供灵活的栅极驱动方案。同时，栅极电荷（Qg）在 10V 下的最大值为 45nC，有助于实现快速的开关特性。
输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容的最大值为 3037pF，这一特性对高频信号应用来说至关重要，确保了降低输入信号变形和更快的响应时间。
应用场景
BUK7M3R3-40HX 由于其优异的电气性能和宽广的工作温度范围，广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 作为 DC-DC 转换器、同步整流及电源开关中的核心元件，为提升效率和降低能量损耗提供理想的解决方案。
- 电动汽车: 在电动汽车的电池管理系统（BMS）、驱动电机控制以及充电系统中，能提供稳定的电流控制和高功率处理能力。
- 工业设备: 在工业产品如伺服驱动器、机器人和自动化设备中，作为开关元件保证稳定性和高速控制。
- 消费电子: BUK7M3R3-40HX 适合用于计算机电源、LED 驱动器及其他消费类电子设备，以实现高效能供电。
总结
凭借其卓越的电气特性及高温性能，BUK7M3R3-40HX 是现代电子产品设计中不可或缺的元件。无论是在高功率密度要求的电源变换应用，还是在需要高可靠性的恶劣环境下，此款 MOSFET 均提供了可靠的解决方案。其优质的发热管理和低开关损耗性能，使其在市场竞争中具备明显的优势，为各种需求的工程师和设计师提供了多种可能的应用场景。