制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 20 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 490 mV @ 100 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | 1.9 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3.5 µA @ 20 V |
不同 Vr、F 时电容 | 25pF @ 1V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | DSN0603-2 |
工作温度 - 结 | 125°C(最大) | 基本产品编号 | PMEG2002 |
PMEG2002ESF,315 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能肖特基二极管,广泛应用于低电压、大电流的电源管理和整流电路中。这款二极管采用表面贴装型(SMD)封装,极其适合空间受限的电路板设计,同时实现出色的电气性能和热管理。
PMEG2002ESF,315 由于其优异的电气规格,非常适合多种电子应用场景,包括但不限于:
PMEG2002ESF,315 的肖特基特性使其在处理快速开关频率和高电流的情况下表现出色。其反向恢复时间仅为 1.9 ns,这使其在高频开关应用中能够迅速恢复状态,从而减少了开关损耗。在最大 20 V 的反向直流电压下,其反向泄漏电流仅为 3.5 µA,这在极大程度上优化了整体电能管理,尤其是在节能设备中表现突出。
此外,正向电压降(Vf)在 490 mV @ 100 mA 的表现可以有效降低在电路工作时的热量发热,是可提升整体系统效率的关键参数。这使得在高负载条件下运行的安全性和可靠性更高。
作为一款高效、稳定且小型化的肖特基二极管,PMEG2002ESF,315是设计人员在寻求高性能电子元件时的理想选择。它将高效的分散热设计与紧凑的封装形式结合在一起,注定在现代电子设备中占有重要的角色,特别是在需要低电压、高电流和紧凑布局的应用中。无论是在汽车、通信还是消费电子产品中,PMEG2002ESF,315 都能有效提升设备的性能与稳定性,是实现高效电子设计不可或缺的核心元件。通过其卓越的性能和广泛的适用性,PMEG2002ESF,315 有助于工程师更好地应对现代电子设计面临的挑战。