SQJ486EP-T1_GE3
SQJ486EP-T1_GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 51A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1386pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 56W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
SQJ486EP-T1_GE3手册
SQJ486EP-T1_GE3概述
产品概述：SQJ486EP-T1_GE3
SQJ486EP-T1_GE3是一款高性能N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），特别设计用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，确保具备必要的质量和可靠性。这款MOSFET由威世（VISHAY）公司制造，其主要特点在于其卓越的性能参数和多种应用场景。
一、基础参数
该MOSFET的漏源电压（Vdss）为75V，最高连续漏极电流（Id）为30A（在完全导通状态下）。这使得设备适用于中等至高功率的应用，能够处理较大的电流而不容易过热或损坏。驱动电压方面，SQJ486EP-T1_GE3在4.5V和10V下均可实现最大导通电阻（Rds(on)），这为系统设计提供了灵活性。在较高电压下（10V），该器件的最大导通电阻为26毫欧，适用于高效能的开关电源和电机驱动等应用。
二、导通特性
SQJ486EP-T1_GE3的不同Id和Vgs条件下，最大阈值电压（Vgs(th)）为2.1V@250µA，说明其在低电压条件下便能够有效开启，降低了驱动电路的功耗。栅极电荷（Qg）為34nC@10V，表明在开关操作过程中，器件的响应速度较快，有助于提升设备的整体性能。
三、热管理与功率耗散
无论在极端工作环境下，SQJ486EP-T1_GE3都具备良好的热管理特性。其最大功率耗散为56W（Tc），支持广泛的工作温度范围，从-55°C到175°C（TJ），使其能够在恶劣环境下稳定工作，尤其适合要求苛刻的汽车电子系统。
四、封装与安装
该器件采用了PowerPAK® SO-8封装，具备表面贴装型设计，便利于自动化生产线的组装。同时，8-PowerTDFN封装不仅减小了总体尺寸，还有助于提高散热性能，降低PCB占位，提高系统集成度。这种紧凑的设计使其适用于空间受限的应用。
五、应用领域
SQJ486EP-T1_GE3 MOSFET适用于多种 high-performance automotive applications，包括电机控制、开关电源、DC-DC转换器以及做为负载开关。其高可靠性和优异的电气性能使其成为电动汽车、混合动力汽车及传统汽车的理想选择，特别是在要求高温、高压和高电流的环境下。
总结
SQJ486EP-T1_GE3是一款将高性能与高可靠性结合的N通道MOSFET，适合汽车和工业电子应用的推广，尤其是在需要高效能、高密度封装和广泛工作温度范围的场合。凭借其优异的电气特性和设计灵活性，SQJ486EP-T1_GE3能够为设计工程师提供强大支持，助力各种复杂应用场景的实现。无论是在开发新产品还是优化现有解决方案，SQJ486EP-T1_GE3都是值得信赖的选择。