PMV65ENEAR
PMV65ENEAR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 2.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 490mW（Ta），6.25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160pF @ 20V |
PMV65ENEAR手册
PMV65ENEAR概述
PMV65ENEAR 产品概述
PMV65ENEAR 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由 Nexperia USA Inc. 生产，专为严苛的汽车应用而设计。根据 AEC-Q101 标准制造，PMV65ENEAR 在温度、耐用性及可靠性方面表现出色，适合用于各种汽车电子设备和工业用途。该器件的特殊设计确保其能够在广泛的工作条件下正常工作，成为各类高效能电路的理想选择。
技术参数
PMV65ENEAR 的主要参数包括：
- 工作电流：该器件在 25°C 的环境温度下，能够承载高达 2.7A 的连续漏极电流，使其在许多应用中具备良好的导电能力。
- 导通电阻：在 10V 的驱动电压下，PMV65ENEAR 的最大导通电阻为 75 毫欧，这极大地减少了功率损耗，提高了效率。
- 漏源电压（Vdss）：该 MOSFET 的漏源电压为 40V，使其在应用中具备较高的电压耐受能力，适合不同类型的电力控制场合。
- 工作温度范围：PMV65ENEAR 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在极端环境下的稳定性和可靠性，非常适合汽车和工业级的应用。
驱动与控制特性
该 MOSFET 设计用于 4.5V 和 10V 的驱动电压，适配多种工作条件、确保有效的开关性能。其 Vgs(th)（阈值电压）最大值为 2.5V，当栅极电压达到此值时，MOSFET 开始导通，从而实现对电流的控制。这种特性使得 PMV65ENEAR 可以在低压驱动条件下操作，适合于节能设计。
针对电荷特性，PMV65ENEAR 在 10V 条件下的栅极电荷（Qg）为 6nC，输入电容（Ciss）为 160pF，提供了快速的开关响应。这些参数使得设备在高频率应用中表现优秀，为设计者提供了更高的灵活性。
封装和应用
PMV65ENEAR 采用 SOT-23-3 封装，具有良好的散热性能和体积小巧特点，方便于现代电子设备中的集成。在设计中，该器件可以灵活应用于电池管理系统、DC-DC 转换器、马达驱动、电源开关及其他需要快速开关及高电流传输的场合。
此外，因其卓越的持续功率耗散能力，PMV65ENEAR 在常规工作（490mW）及高温工作条件下（6.25W）也能稳定工作。这样的性能为设计师提供了更多选择空间，能够满足不同电路设计的需求。
总结
PMV65ENEAR 以其高效能、高电流承载能力和广泛的工作温度范围，成为现代汽车及工业应用中不可或缺的 N 通道 MOSFET 之一。Nexperia 的精湛工艺和严格的生产标准保障了其长期的可靠性和耐用性，是各类电力控制系统中理想的选择，完全符合现代快速发展的电子技术需求。无论是在安全性还是性能方面，PMV65ENEAR 都能为汽车和工业电子设计提供优质解决方案。