IRF840PBF
IRF840PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF840PBF手册
IRF840PBF概述
IRF840PBF 产品概述
概述
IRF840PBF 是由英飞凌（Infineon）公司推出的一款 N 通道 MOSFET，广泛应用于高压和高功率电子电路中。该器件具有卓越的性能和可靠性，适合于电源转换、开关电源、马达驱动和其他需要高电压和高电流的场景。IRF840PBF 具备高达 500V 的漏源电压（Vdss）和 8A 的连续漏极电流（Id），在多种应用中展现了出色的性能和有效性。
主要参数
- FET 类型：N 通道
- 导通电阻（Rds On）：850 毫欧，在 4.8A 和 10V 的条件下最大
- 漏源电压 (Vdss)：500V
- 连续漏极电流 (Id)：8A（在最高工作温度下）
- 功率耗散：125W（Tc）
- 最大 Vgs：±20V
- 临界门源电压 (Vgs(th))：最大 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：最大 63nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)：最大 1300pF @ 25V
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型：TO-220AB
应用场景
IRF840PBF MOSFET 适用于多种场合，以下是一些常见的应用领域：
电源供应：在开关电源和线性电源转换中，IRF840PBF 的高耐压和导通能力使其可以高效地控制电流，提供所需的电力。
马达驱动：在电动马达控制和驱动电路中，该器件可用作高效的开关元件，实现电机的高速启停和转速调节。
高压应用：可以在需要大开关电压的场合使用，如高压收发器和电源管理电路。
RF 线性放大器：在一些 RF 应用中，该 MOSFET 能够提高效率和放大能力，适合用于 RF 线性放大器电路。
性能特点
IRF840PBF 的设计注重高效能和低损耗。其较低的 Rds On 值有助于减小功率损耗，使其在高电流工作条件下仍能保持较小的发热量。此外，宽广的工作温度范围使得该器件能够在苛刻的环境中运行，增强了其适用性和可靠性。
封装与安装
IRF840PBF 使用通孔封装，采用 TO-220-3 封装形式，具有良好的散热性能和机械强度。设计师可以轻松地将其集成到各种电路板和电源模块中，确保较好的装配和维护性能。
结论
英飞凌的 IRF840PBF 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压承受能力、出色的导通性能以及广泛的应用能力，成为了高功率和高压电路设计中的理想选择。其可靠性和性能使其在现代电子设备和电源管理应用中具有不可或缺的地位。选择 IRF840PBF，能够确保您的设计在性能和效率上都能达到最佳效果。