功率(Pd) | 150W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 265pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 62.1nC |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.604nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 82A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@20A |
NCE60P82AK 是新洁能(NCE)公司推出的一款高性能功率MOSFET(场效应管),主要用于各种电子电路中的功率开关和放大应用。它采用 TO-252 封装形式,这种封装因其优良的热性能和小巧的体积而广泛应用于各种电子设备中,特别是空间受限和散热要求较高的应用中。
高电流承载能力:NCE60P82AK 可以处理最大漏极电流(ID)为60A,适合在高功率应用中使用,如电源管理、逆变器和电机驱动等场合。
低导通电阻:该MOSFET具有极低的R_DS(on)值,可以显著减少在开关过程中的功率损耗,提升电路的整体效率。低导通电阻意味着在正向导通状态下,电能损耗降低,热量产生更少,有助于提高元器件和系统的可靠性。
宽电压范围:该器件的最大漏极到源极电压(V_DS)为82V,使其能够在多种电源系统中稳定工作,满足不同的设计需求。
快速开关特性:NCE60P82AK 具备优良的输入特性和较快的开关速度,这使得其在高频应用中表现出色,如开关电源和高频逆变器。
良好的热性能:TO-252封装提供较大的散热面积,有助于有效散热,保证电路在高负载或高温环境下稳定运行。此外,器件内部设计合理,能够在较高温度下保持良好的性能。
电源管理:在开关电源、线性稳压器等电源管理应用中,NCE60P82AK 可用作主开关元件,实现高效的电能传输。
电机驱动:在电机控制和驱动电路中,该MOSFET可以用于H桥配置中的开关元器件,提供高效的电流开关功能。
逆变器:在太阳能逆变器、电池管理系统等应用中,NCE60P82AK 可用于直流到交流的转换过程,提高系统效率。
LED驱动:在LED照明和显示应用中,其高效能使得灯光驱动电路能更好地控制功率和亮度。
在使用NCE60P82AK时,建议设计者充分考虑热管理,确保MOSFET在安全工作区间内运行。合理选择散热片和设计电路中的驱动信号,能够进一步确保器件的可靠性和性能。
此外,尽量避免器件过载工作,尤其是在高温环境中,将对器件的寿命产生影响。设计电路时,也要注意栅极驱动电压的选择,以免造成过大的栅极电流,影响MOSFET的正常运行。
NCE60P82AK 是一款功能强大的功率MOSFET,凭借其高承载能力、低导通电阻和优良的开关特性,广泛应用于现代电子设备中的各种功率转换和控制场合。无论是在电源管理、电机驱动还是逆变器应用中,都能提供卓越的性能和可靠性,是设计工程师在选择功率开关元件时值得优先考虑的产品。