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STD5N52U
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-252-3
包装 :
编带
重量 :
0.469g
描述 :
场效应管(MOSFET) 70W 525V 4.4A 1个N沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
8.24按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥8.24
--
100+
￥7.1
--
1250+
￥6.77
--
2500+
￥6.44
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD5N52U参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 525V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 529pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD5N52U手册
无数据
STD5N52U概述
STD5N52U 产品概述
概述
STD5N52U 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。它的设计理念是满足高电压、大电流的电子设备需求，主要被用于电源转换、驱动电机和开关电源等领域。作为一款表面贴装型（SMD）器件，STD5N52U 凭借其高达 525V 的漏源电压（Vdss）和 70W 的功率耗散能力，在高压和大电流操作条件下表现出卓越的性能。
主要参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 525V
- 连续漏极电流（Id）: 4.4A @ 25°C
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大 1.5Ω @ 10V、2.2A
- 栅极驱动电压（Vgs）: 10V
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大 4.5V @ 50µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大 16.9nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 最大 529pF @ 25V
- 功率耗散（Pd）: 最大 70W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装: TO-252 (DPAK)
性能特点
STD5N52U 的高漏源电压及优越的导电性使其适用于各种高压应用。其最大 Rds(on) 达到 1.5 Ω，意味着它在连续工作时的功率损失较低，有助于提高系统的整体效率。此外，该 MOSFET 具备优异的开关特性，较低的栅极电荷 Qg 降低了开关损耗，支持快速开关操作，这对于高频电源系统和快速变换电流的应用至关重要。
其较高的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使得 STD5N52U 能够在恶劣环境下稳定运行，从而被广泛应用于汽车、工业与消费电子等领域。TO-252 封装的设计能够有效散热，确保稳定的工作性能，并且便于自动化表面贴装工艺。
应用领域
由于其高压、大电流和良好的导电性，STD5N52U 可以广泛应用于以下几种场景：
- 开关电源: 在高频开关和电流变换中，能够提高能效，降低功率损耗。
- 电动机驱动: 提供简单而有效的半导体解决方案，适用于 Direct Current (DC) 电机控制和驱动。
- 电力电子设备: 用于 UPS（不间断电源）、电池管理系统及高电压直流应用。
- 汽车电子: 在电动汽车及混合动力汽车中，承担各种与驱动和控制相关的功能。
总结
STD5N52U 是一款高效能、设计精良的 MOSFET，特别适合对高电压和大电流的苛刻需求。其可靠的性能和广泛的应用适应性使其成为电源设计工程师的理想选择。无论是用于工业、汽车或消费电子领域，STD5N52U 都展现出强大的电子性能和卓越的稳定性，必将助力各种应用的成功与发展。