STL22N60M6
STL22N60M6参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ M6 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 57W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6）HV | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800pF @ 100V |
STL22N60M6手册
STL22N60M6概述
STL22N60M6 产品概述
STMicroelectronics生产的STL22N60M6是一款高效能的N通道MOSFET，属于MDmesh™ M6系列，旨在满足高电压和高温度环境下的多种应用需求。这款MOSFET采用最新的制造工艺，具有优异的电气特性和出色的热性能，使其广泛应用于工业、汽车和消费电子等领域。
主要特性
高漏源电压
STL22N60M6的漏源电压（Vdss）高达600V，使其适用于高电压环境下的开关电源、逆变器和驱动电路。尤其在电力电子设备中，它能够确保安全和高效的操作。导通电阻
在10V的栅源电压下，该MOSFET的最大导通电阻（Rds On）为250毫欧（@5A，10V），这意味着它在使用过程中的功耗非常低。低电阻的特性减少了在开关操作过程中产生的热量，提高了设备的效率和可靠性。宽工作温度范围
STL22N60M6的工作温度范围为-55°C到150°C，既可适应极端的环境条件，又能在高温条件下保持稳定性。这样的性能对于汽车电子、工业控制和高温应用尤其重要。高功率耗散能力
其最大功率耗散能力达到57W（Tc），使其在高负载条件下依然能够保持良好的工作状态，避免因过热引发的损坏。快速开关性能
STL22N60M6表现出色的栅极电荷（Qg）特性，最大值仅为20nC（@10V），这使得它在开关频率较高的应用中也能有效工作，减少开关损耗，提高系统的整体效率。先进的封装设计
该器件采用了PowerFLAT™封装（5x6mm），为表面贴装型设计，适合于自动化生产以及节省空间的电子设备。其优良的封装设计还协助实现更好的热管理。
应用场景
STL22N60M6的设计特点使其适用于各种应用场景，包括但不限于：
开关电源: 由于其高电压和低导通电阻特性，STL22N60M6非常适合用于开关电源的主开关和辅助开关中，提高电源转换效率。
电动机驱动: 在电动机驱动和逆变器中，能有效控制电流，提供平稳的功率输出。
汽车电子: 该器件的宽工作温度范围和高功率承受能力，使其在汽车电子架构中的应用（如电源管理和电动助力转向系统）尤为重要。
工业设备: 适用于高温环境下的工业自动化设备，如焊接电源和电力合成器等。
总结
STL22N60M6 MOSFET是一款高性能的N通道FET，结合了出色的电气特性、强大的热性能和宽广的应用范围，实属现代电子设计中不可或缺的重要元器件。凭借其在高电压和高温条件下的稳定表现，STL22N60M6定能为各类电力电子应用提供可靠的解决方案。