STW63N65DM2 产品实物图片
STW63N65DM2 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STW63N65DM2

商品编码: BM0084330199
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
待确认
包装 : 
管装
重量 : 
6.73g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 446W 650V 60A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
54.76
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥54.76
--
10+
¥48.88
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

STW63N65DM2参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)650V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)65A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)145nC @安装类型通孔
供应商器件封装TO-247封装/外壳TO-247-3

STW63N65DM2手册

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STW63N65DM2概述

STW63N65DM2 产品概述

一、产品简介

STW63N65DM2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款器件具有出色的电气特性和热性能,广泛应用于高效能开关电源、逆变器以及各种电源管理电路中。其设计和制造过程符合当今工业和消费电子领域对高效率、高可靠性和小型化的严格要求。

二、主要参数

  1. FET 类型:N 通道 MOSFET
  2. 技术:金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)
  3. 漏源电压(Vdss):650V
  4. 25°C 时的连续漏极电流 (Id):65A
  5. 栅极电荷 (Qg):最大值为 145nC(在不同 Vgs 条件下)
  6. 安装类型:通孔安装
  7. 器件封装:TO-247
  8. 封装外壳:TO-247-3
  9. 功率处理能力:446W

三、电气性能

STW63N65DM2 的一个显著优势是其高耐压特性,能够承受高达 650V 的漏极到源极电压。这使得该 MOSFET 特别适合于需要高电压打击的应用场合,确保设备在高压环境下的稳定工作。

连续漏极电流为 65A 的特性,使得该器件能够处理高功率负载,非常适合用在电源模块、LED 驱动电路和电机控制等领域。其较低的栅极电荷(Qg),提供了快速的开关响应,进而提升了开关频率和整体系统效率。这在开关电源(SMPS)等高频应用中尤为重要,因为更低的开关损耗有助于提高能效并减少热量生成。

四、热性能

TO-247 封装设计助力了 STW63N65DM2 在散热性能方面的卓越表现。这种封装类型适合高功率应用,能够有效地将产生的热量散发到环境中,保证器件在高负荷条件下的可靠性和耐久性。在设计电路时,可以更灵活地考虑到散热方面,降低了安全隐患。

五、应用领域

  1. 开关电源(SMPS):与其他高效能的组件协作,提供稳定的输出,适用于电脑电源、充电器等设备。
  2. 工业电机控制:利用 MOSFET 的高频响应和高耐压特性,用于控制大功率电机或伺服电机。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器或者风力发电机中,能够高效地转换和调节电力,满足各类负载需求。
  4. LED 驱动电路:能够实现高效控制和驱动LED,满足各类照明需求。

六、总结

STW63N65DM2 是一款高性能 N 通道 MOSFET,集高耐压、高电流处理能力和优秀的散热特性于一身,适合于多种高效能电源管理和电动设备控制应用。这款器件的设计让它在高压环境下仍能稳定运行,是现代电力电子领域中不可或缺的一部分。无论是在新产品的开发,还是在现有系统的升级,STW63N65DM2 都能成为设计师和工程师的理想选择。其高效的工作效率和可靠性,为各种电气应用提供了强大的支持,显著提升了整体性能和用户体验。