FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 145nC @ | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW63N65DM2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款器件具有出色的电气特性和热性能,广泛应用于高效能开关电源、逆变器以及各种电源管理电路中。其设计和制造过程符合当今工业和消费电子领域对高效率、高可靠性和小型化的严格要求。
STW63N65DM2 的一个显著优势是其高耐压特性,能够承受高达 650V 的漏极到源极电压。这使得该 MOSFET 特别适合于需要高电压打击的应用场合,确保设备在高压环境下的稳定工作。
连续漏极电流为 65A 的特性,使得该器件能够处理高功率负载,非常适合用在电源模块、LED 驱动电路和电机控制等领域。其较低的栅极电荷(Qg),提供了快速的开关响应,进而提升了开关频率和整体系统效率。这在开关电源(SMPS)等高频应用中尤为重要,因为更低的开关损耗有助于提高能效并减少热量生成。
TO-247 封装设计助力了 STW63N65DM2 在散热性能方面的卓越表现。这种封装类型适合高功率应用,能够有效地将产生的热量散发到环境中,保证器件在高负荷条件下的可靠性和耐久性。在设计电路时,可以更灵活地考虑到散热方面,降低了安全隐患。
STW63N65DM2 是一款高性能 N 通道 MOSFET,集高耐压、高电流处理能力和优秀的散热特性于一身,适合于多种高效能电源管理和电动设备控制应用。这款器件的设计让它在高压环境下仍能稳定运行,是现代电力电子领域中不可或缺的一部分。无论是在新产品的开发,还是在现有系统的升级,STW63N65DM2 都能成为设计师和工程师的理想选择。其高效的工作效率和可靠性,为各种电气应用提供了强大的支持,显著提升了整体性能和用户体验。