STW45N60DM6

STW45N60DM6 产品概述

概述

STW45N60DM6 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），它采用了先进的工艺技术，具有卓越的电气性能和高可靠性，广泛应用于各种电源管理和开关电源系统中。该器件特别适合于高电压、高功率应用，具备高效的导通特性和良好的散热性能。

主要特性

1. 电气参数：

   • 漏源电压（Vdss）: 600V，适用于高电压应用，如工业电源和电动机驱动。
   • 最大连续漏极电流（Id）: 30A（在结温 Tc 为 25°C 时），提供稳定的输出能力，满足高电流需求的应用。
   • 导通电阻（Rds(on)）: 99mΩ，@ 15A 及 10V 驱动电压，表明该器件在导通状态下的低损耗特性，有助于提高系统效率。

2. 驱动与开关特性：

   • 门极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4.75V（@ 250µA），确保在相对低电压下即可开启，从而提高驱动灵活性。
   • 门极电荷（Qg）: 最大值为44nC（@ 10V），指示该器件在开关操作中的较低驱动功耗，适合高频应用。
   • 栅极源极电压（Vgs）: 最高可达±25V，可承受高电压驱动，增强了设计的灵活性和可靠性。

3. 输出特性：

   • 输入电容（Ciss）: 最大值为1920pF（@ 100V），满载情况下具有较小的输入电容，有助于提高开关速度和增加系统效率。
   • 功率耗散: 最大210W（在结温 Tc 为25°C时），适合于需要较大功率处理的系统，并具备良好的散热特性。

4. 工作环境：

   • 工作温度范围: -55°C至150°C，适应严酷的工作环境，确保在极端条件下依然能够保持性能稳定。

5. 封装类型：

   • TO-247-3：提供良好的散热性能和简单的PCB安装方式，适用于大功率电源应用，便于热管理。

应用领域

STW45N60DM6 MOSFET 广泛应用于:

• 开关电源（SMPS）
• 电动机驱动（如无刷直流电机和步进电机驱动）
• 高频开关电源
• 工业自动化设备
• 逆变器和可再生能源系统

总结

STW45N60DM6 作为一款具备高电压、高电流和高功率处理能力的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气性能和较宽的工作温度范围，成为众多高性能电源管理和电机驱动应用的理想选择。意法半导体的品牌保证和卓越的制造工艺，使得该器件在市场上有着很高的认可度和使用率，是设计工程师在选择高功率开关元件时的重要参考之一。通过合理的设计和应用，STW45N60DM6 能够帮助用户实现更高的系统效率和可靠性。