STW36NM60ND

STW36NM60ND 产品概述

一、概述

STW36NM60ND是一款来自意法半导体（STMicroelectronics）的N沟道MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。该器件具备600V的漏极源极电压（Vdss）、29A的连续漏极电流（Id）及高达190W的功率耗散能力，适用于众多工业、汽车及消费电子设备的高效开关和功率转换场合。

二、技术参数

1. FET 类型：N通道MOSFET，具备良好的高效性能和开关特性，适合需要低导通电阻和快速开关的应用。
2. 漏源电压 (Vdss)：可承受高达600V的电压，适合用于高压直流和交流应用。
3. 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境温度下，连续电流能力达到29A，适合高负载应用。
4. 导通电阻 (Rds On)：在10V栅极电压下，14.5A时最大导通电阻为110毫欧，有效降低开关损耗，提升效率。
5. 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为5V @ 250µA，确保在适当的栅极驱动电压下迅速导通。
6. 栅极电荷 (Qg)：在10V时最大栅极电荷为80.4nC，表明其在开关操作时所需的驱动能量较低，有助于提高电路整体效率。
7. 功率耗散能力：最大功率耗散为190W（在适当的散热条件下），适合高功率应用。
8. 工作温度范围：工作温度可高达150°C，使其在逆境和严苛的工作环境中展现出优秀的可靠性。

三、应用场景

STW36NM60ND MOSFET适用于多种应用环境，特别是以下几个领域：

1. 电源转换器：例如开关电源（SMPS），因其高效率和低导通电阻，可降低热损耗，提升系统整体效率。
2. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，STW36NM60ND可用作开关元件，提高功率转换效率。
3. 电动机控制：在电动机驱动系统中，具备快速开关特性，可以实现更高效的控制策略，提高电动机的性能和响应速度。
4. 高功率LED驱动：在高功率LED应用中，能够有效管理电流流通，提高LED的亮度和延长其使用寿命。
5. 汽车电子：在汽车电源管理和电池管理系统中，优异的耐压特性及低热损耗使得其非常适用。

四、封装与集成

STW36NM60ND采用TO-247封装，这种通孔安装类型的封装方式使得它能够承受较高的功率并确保良好的散热性能。TO-247的结构设计便于与散热器兼容，适合高功率和高效能的需求。

五、总结

STW36NM60ND是一款功能强大且高效的N通道MOSFET，凭借其600V的耐压能力、29A的高电流处理以及超低的导通电阻，提升了各类功率转换和控制应用的整体性能。无论是在电源管理、逆变器设计还是电动机驱动方面，该器件都能提供卓越的性能。对于寻求高效率、可靠性及相对高功率应用解决方案的工程师和设计师而言，STW36NM60ND无疑是一个值得考虑的选择。