STW35N65DM2
STW35N65DM2参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ DM2 |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110毫欧 @ 16A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2540pF @ 100V |
STW35N65DM2手册
STW35N65DM2概述
STW35N65DM2 产品概述
STW35N65DM2 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于 MDmesh™ DM2 系列。此器件的设计目的在于满足高效率和高功率应用的需求，广泛适用于电源管理、电机控制和工业应用等领域。产品的主要特点和规格如下：
基本参数
- 制造商: STMicroelectronics
- 系列: MDmesh™ DM2
- 器件类型: N 通道 MOSFET
- 包装形式: TO-247-3
- 封装类型: 通孔
关键电气特性
连续漏极电流 (Id): STW35N65DM2 可持续承载的漏极电流为 32A（在结温 Tc 25℃ 时），这使其在高负载条件下表现出色。
漏源电压 (Vdss): 此器件的最大漏源电压为 650V，适用于高电压应用，确保在额定条件下的可靠性。
导通电阻 (Rds(On)): 在 Vgs = 10V 条件下，对 ID 16A 的最大导通电阻为 110毫欧，表明在工作时的导通损耗较低，能够提升系统的整体效率。
栅极驱动电压 (Vgs): 器件最小栅极驱动电压为 10V，最大值可达 ±25V，让用户能够灵活应对不同的驱动策略。
开关特性: 在 Vgs=10V 条件下，栅极电荷 (Qg) 最高为 56.3nC，输入电容 (Ciss) 最大值为 2540pF，这些参数改善了开关速度，如今在高频开关电源中尤为关键。
阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 5V（在 250µA 电流下），这使得驱动电路的设计相对简单。
功率与热管理
功率耗散: STW35N65DM2 的最大功率耗散为 250W，能够在高功率密度的环境中有效散热。这一特性使其在需求较高的应用下依然能够保持较低的工作温度。
工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C 的广泛范围，确保其在极端环境下的可靠性和稳定性。
应用领域
STW35N65DM2 的特性使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高电压和电流承载能力，广泛应用于电源适配器和电源模块中。
- 电机驱动: 适合在各种电机驱动器中提供高效能表现，满足电动机启动与运行过程中的控制需求。
- 工业自动化: 在工业控制和自动化设备中提供可靠的功率转换和控制。
- 可再生能源: 在太阳能逆变器和其他可再生能源设备中，利用其高效能和耐环境特性。
总结
STW35N65DM2 作为一款优质的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和可靠的热管理能力，能够满足现代高效能电源转换与控制需求，为众多应用提供支持。针对电源管理、电机控制和工业自动化的要求，这款器件展现出强大的竞争力和适用性。设计工程师可以自信地将其应用于多样化的高电压与高电流场景中。选择 STW35N65DM2，便是选择了性能、可靠性和创新的结合。