STW27NM60ND
STW27NM60ND参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 停產 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 基本产品编号 | STW27N |
STW27NM60ND手册
STW27NM60ND概述
STW27NM60ND 产品概述
1. 产品简介
STW27NM60ND 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该器件设计符合汽车行业标准（AEC-Q101），适用于对可靠性和性能要求较高的应用环境。此产品属于 FDmesh™ II 系列，具备出色的电气特性和热管理能力，常用于电力电子、驱动模块和工业控制等领域。
2. 关键技术参数
- 漏源电压（Vdss）： 600V
- 连续漏极电流（Id）： 21A（在结温Tc下）
- 最大功率耗散： 160W（在结温Tc下）
- 驱动电压（Vgs）： 最大±25V
- 最大导通电阻（Rds On）： 160毫欧，条件为10.5A，10V时
- 阈值电压（Vgs(th)）： 最大5V（在250μA下）
- 工作温度范围： 可达到150°C（TJ），适合高温环境下运行
3. 封装与安装
STW27NM60ND 采用 TO-247-3 封装，其大尺寸和布局设计为散热提供了较好的性能，同时方便在通孔类型的电路板上进行安装。这一封装方式使得该产品在高功率应用中能有效管理结温，并确保器件在高负荷条件下的稳定性和可靠性。
4. 适用应用
STW27NM60ND 特别适用于电源转换、DC-DC变换器、马达驱动、以及其它高压高流量的应用。它常见于电动汽车的驱动系统、工业自动化设备、以及其他需要高效能和优异散热性能的电子设备中。
5. 工作原理与特点
作为一种MOSFET，STW27NM60ND 利用电场效应控制漏极到源极之间的电流流动。N沟道结构的优势在于其在导通状态下具有较低的导通电阻，从而提高整体能效，减少功耗。此外，较高的耐压能力（600V）使得该产品在高电压应用中更为安全，且品牌的信誉与长期可靠性也为用户提供了更大的安心。
6. 性能优势
- 高效能： STW27NM60ND 在低负载和高负载条件下均表现出色，能有效降低系统温升，提高能效。
- 耐热性： 即使在极端工作环境下，它仍能保持优异性能。这一特性使得其在热管理较为严格的应用场景中尤为适合。
- 稳定性和可靠性： AEC-Q101 认证保证了该产品在汽车及其他关键应用中的可靠性，为工程师在设计时提供了更大的信心。
7. 停产及替代选择
值得注意的是，STW27NM60ND 已经停产，建议用户在计划长期使用的项目中考虑合适的替代产品。用户可以重点关注性能指标相似、封装形式相近的产品，以确保其应用的可持续性与稳定性。
8. 结论
总体而言，STW27NM60ND 作为一款高性能的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性、可靠的工作温度范围及适用的封装设计，在多个高要求的应用场合中展现出强大的竞争力。虽然该产品已经停产，但其设计理念和技术优势仍然对后续产品的开发提供了丰富的经验借鉴。金属氧化物半导体器件的迅猛发展为现代电力管理和高性能计算奠定了坚实基础，因此，继续跟进类似产品的市场动态与技术演变，将有助于满足日益增长的电力电子需求。