STW19NM60N
STW19NM60N参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 285 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW19NM60N手册
STW19NM60N概述
STW19NM60N 产品概述
STW19NM60N 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，广泛应用于各类电源和电子设备中。该器件具备600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id @ 25°C），适用于需要高电压和中等电流应用的场合。
主要特点
高电压能力：STW19NM60N 器件的最高漏源电压为 600V，使其能够处理高电压电源设计，适合于变频器、驱动电路和其他高电压应用。
优良的导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，当漏极电流为 6.5A 时，其最大导通电阻（Rds(on)）为 285 毫欧。这一特性使得该器件在导通状态下的功耗相对较低，从而提高了系统的能效。
快速的开关特性：STW19NM60N 的栅极电荷（Qg）最大为 35nC，表明其具有较快的开关特性。快速的开关速度特别有利于高频应用，能有效降低开关损耗。
广泛的工作温度范围：该器件的工作温度范围从 -55°C 至 150°C，适合在恶劣环境条件下的可靠运行。这使得 STW19NM60N 可以在汽车、工业控制和其他高温环境下应用，提供更大的设计灵活性。
强大的功率处理能力：STW19NM60N 的最大功率耗散达到了 110W（Tc），这意味着它能够处理更高的功率负载，稳定的性能提升了系统的可靠性。
合理的栅极驱动电压：该器件要求的栅极驱动电压为 10V，具有良好的驱动适应性与兼容性，更易于与现有电源和控制电路配合。
封装与安装
STW19NM60N 的封装形式为 TO-247，具有通孔安装（Through Hole）的特点。TO-247 封装不仅易于散热，而且体积适中，便于在电路板上布局。这种封装设计确保了优良的热管理，适合于高功率密度应用。
应用领域
STW19NM60N 适用于各种高电压高电流的应用场景，包括但不限于：
开关电源：在开关电源中，MOSFET 作为主要的开关元件，通过快速的开关特性控制功率输出来实现高效的电源转换。
逆变器：在可再生能源系统（如光伏和风能）逆变器中，MOSFET 作为功率控制器件，能够实现直流至交流的高效转换。
电机驱动：在电机控制应用中，MOSFET 可用于快速调节电流和电压，以控制电机的速度和转矩。
汽车电子：由于其优异的高温性能，STW19NM60N 适合在汽车电子市场中，尤其是在电源管理和驱动电路中找到市场空间。
总结
STW19NM60N 是一款综合性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流能力和优秀的开关特性，广泛用于电源、逆变器、电机驱动和汽车电子等领域。凭借其出色的散热特性与稳固的工作温度范围，这款 MOSFET 对于设计工程师来说，是一个非常有吸引力的选择。无论是在高效能供电解决方案，还是在多个工业应用场合，STW19NM60N 都显示出了其未来的广阔应用前景。