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STW19NM50N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
6.558g
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 500V 14A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
18.31按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥18.31
--
10+
￥15.79
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW19NM50N参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW19NM50N手册
无数据
STW19NM50N概述
STW19NM50N 产品概述
一、产品简介
STW19NM50N 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，具备较高的漏源电压、出色的导通性能和较大的功率处理能力。这款 MOSFET 封装在 TO-247-3 封装中，适用于高效能的电源管理与开关应用，如电机驱动、开关电源和逆变器等。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）：该 MOSFET 的漏源击穿电压为 500V，使其适用于高压环境中。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件可以持续承载高达 14A 的漏极电流，且在较高的温度下仍保持良好的性能。
- 门限电压（Vgs(th)）：在 250µA 的条件下，Vgs(th) 最大值为 4V，表明其对栅极电压的响应较为灵敏。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动电压和 7A 的漏电流下，最大导通电阻为 250 毫欧，提供有效的功率损耗控制。
- 输入电容（Ciss）：在 50V 时的输入电容为 1000pF，展示了良好的开关特性和高频应用适应性。
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动电压下的栅极电荷为 34nC，意味着该 MOSFET 在开关操作时能够实现较低的驱动功耗。
- 温度特性：可在高达 150°C 的工作温度下安全运行，确保在苛刻条件下也不会出现性能下降。
三、应用领域
STW19NM50N MOSFET 的设计使其非常适合多种高压和高功率应用，具体包括：
- 开关电源（SMPS）：利用其高击穿电压和较低的导通电阻，能够有效提升开关电源的效率，并减少热损耗。
- 电机驱动：在工业设备和家用电器中，其高电流承载能力可用于各种电机驱动应用。
- 逆变器：在光伏逆变器和其他可再生能源应用中，该MOSFET 的高电压特性使其能够有效转换和控制电能。
- 电源管理：用于电力分配和控制的电路，能够提供快速的开关响应并维持极高的稳定性。
四、封装和散热
STW19NM50N 采用 TO-247-3 封装，这种大尺寸封装的设计不仅能够有效散热，还便于通过通孔安装到电路板上，提高了散热性能和机械强度。这一点在高功率应用中尤为重要，因为MOSFET的功率损耗需要通过良好的散热措施来管理，以保持器件在安全工作范围内。
五、总结
STW19NM50N MOSFET 是一款高压、高功率的场效应管，凭借其优越的电气性能和温度稳定性，适用于多个高效能电子应用。其在开关电源、逆变器以及电机驱动等领域中的应用潜力巨大，是电子设计工程师在选择元器件时分外值得关注的一款产品。意法半导体以其卓越的产品质量和技术支持，为客户提供更为可靠的解决方案。